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  • UCC21530: Under what circumstances will both outputs of this chip be high

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    Part Number: UCC21530 Under what circumstances，the two outputs of this chip will be high？

  • UCC21530-Q1: The UCC21530-Q1 EN pin is always low(refer to GND)

    Part Number: UCC21530-Q1 Other Parts Discussed in Thread: TIDA-01605 , , UCC21530 Dear TI expert： I'm working on the TIDA-01605 project,Find that t he UCC21530-Q1 EN pin is always low(refer to GND) When UCC21530 and ISO7721QDRQ1 are used, the device…
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  • RE: [参考译文] UCC21530-Q1：Ucc21530内部栅极电压升压器、以及 DPT 过程中出现异常负偏置

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 KaiKai： 如果高压直流链路悬空、则它不是具有充电路径的完整电路。 SW 的浮动电压应与 VDD 的电压和 Cboot 的 IC 电压相关、如红色箭头所示。 如果该引脚悬空、则由于高侧 FET 的反向体二极管、HV 直流链路应接近 SW 电压。 可能这也是最后一个1.5V 的二极管压降、从22.5V 降至22V、再降至19.5V、降至18V。 关于较大电容具有较大电压的原因…
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  • RE: [参考译文] UCC21530：输出信号问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Sean、 低侧负电源未短路。 R108未安装在物理板上。 我能够找出问题。 该问题是 UCC21530上的死区时间功能。 我在所有3个驱动器上都使用了一个20k Ω 的电阻器进行设置。 这导致在 PWM 周期内发生重叠冲突时、两个通道上的输出信号截断。 由于每个驱动器并未设置为针对每个桥臂放大高/低信号、因此不同的相位桥臂上通常会发生重叠冲突。 这会导致所有或大多数输出信号丢失…
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  • RE: [参考译文] UCC21530-Q1：栅极驱动器输出中的噪声

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Rajat： UCC21530有一个更新、您应该尝试改用该更新。 它是 UCC21551。 该噪声是否一致？ 看起来你只有显示的一个周期。 探头的接地似乎已断开连接、但它会恢复吗？ 已有报告表明 UCC21530存在高阻态、原因是内部 LDO 的欠压情况。 那么使用新器件就可以解决该问题。 D 和 B 同时为高电平。 您是否有原理图可帮助我了解系统级电路？ 看起来像开关节点…
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  • RE: [参考译文] UCC21530：用于 VDD / VSS 引脚的本地旁路电容器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Gabriela、 正确、如果使用负偏置、那么理想情况下它们不会连接到 VSS。 TIDM-02009参考设计在 VSS 上对 UCC21530驱动器使用-4V 负偏置。 链接： https://www.ti.com/tool/TIDM-02009 可在直流/直流栅极驱动器原理图下找到使用 UCC21530的原理图。 希望这对您有所帮助。 此致、 Hiroki …
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  • RE: [参考译文] UCC21530-Q1：一些数据表问题：钳位、输出电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Josh： 1.) 这是在栅极驱动器的输出级设计的。 输出级上用于高侧 MOSFET 设计并联的 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET 允许发生这种情况。 与 PMOS 的较高内部电阻相比、NMOS 允许高电流流过。 2.) NMOS 进行的这种升压适用于所有类型的 MOSFET 负载。 3.) 升压持续时间取决于 MOSFET 负载导通特性。 这种升压发生在米勒平坦区域…
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  • RE: [参考译文] UCC21530：用于 SiC MOSFET 的米勒钳位电路

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 这是一个常见问题解答页面、可以为您的问题提供一些有用的信息： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1059770/faq-ucc21520-how-can-i-prevent-false-turn-on-of-the-power…
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  • RE: [参考译文] UCC21521：使用 UCC21521 + UCC28950的 PSFB 转换器设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 没问题 Umang、 次级侧电源上的12V 电压将用于8V UVLO 版本(UCC21530 B )。 希望这能解答您的问题。 如果您有任何问题、请告诉我！ 此致、 Hiroki

  • UCC21530: 关于GNTI的测试及其方法

    TI 认为已经解决
    Part Number: UCC21530 Hi, 我在贵司官网上找到关于隔离器件的隔离能力衡量标准，除了CMTI这个指标外，还有GNTI这个指标。但我只找到一个视频简单介绍了相关内容（视频题目是GNTI Testing of Reinforced Digital Isolators）。请问贵司有相关的文章或者其他更多的资料来介绍关于GNTI这个指标和CMTI有什么不同，以及是怎么测试的吗？ 谢谢 Xun

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