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  • RE: [参考译文] 推荐用于 SiC MOSFET 的浮点栅极驱动器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Michael、您好！ 当然 TI 也有输入电压~100V 的集成降压稳压器芯片。 更高电压和功率降压转换器是否需要分立式设计？ 同步降压转换器看起来像半桥逆变器、因此我从 UCC21551开始。 这是一种具有硬件死区时间的双通道驱动器、具有相当高的驱动强度、而且没有添加输出功能。 UCC21530正在由 UCC21551取代、该器件进行了多项重要改进、包括降低成本。 …
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  • RE: [参考译文] 推荐用于 SiC MOSFET 的浮点栅极驱动器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Michael、您好！ 当然 TI 也有输入电压~100V 的集成降压稳压器芯片。 更高电压和功率降压转换器是否需要分立式设计？ 同步降压转换器看起来像半桥逆变器、因此我从 UCC21551开始。 这是一种具有硬件死区时间的双通道驱动器、具有相当高的驱动强度、而且没有添加输出功能。 UCC21530正在由 UCC21551取代、该器件进行了多项重要改进、包括降低成本。 …
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  • [参考译文] UCC21530-Q1：峰值和最小占空比与 UCC21530-Q1有关

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21530-Q1 , UCC21530 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1229423/ucc21530-q1-peak-value-and-minimum-duty…
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  • [参考译文] UCC14141-Q1：如何设计单个 RLIM？

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21530 , UCC14141-Q1 , UCC14141EVM-068 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262701/ucc14141-q1-how-to-design…
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  • [参考译文] UCC14141-Q1：如何设计单个 RLIM？

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21530 , UCC14141-Q1 , UCC14141EVM-068 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262701/ucc14141-q1-how-to-design…
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  • [参考译文] UCC14141-Q1：如何设计单个 RLIM？

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21530 , UCC14141-Q1 , UCC14141EVM-068 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262701/ucc14141-q1-how-to-design…
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  • [参考译文] UCC14141-Q1：如何设计单个 RLIM？

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21530 , UCC14141-Q1 , UCC14141EVM-068 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262701/ucc14141-q1-how-to-design…
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  • [参考译文] UCC14141-Q1：如何设计单个 RLIM？

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21530 , UCC14141-Q1 , UCC14141EVM-068 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262701/ucc14141-q1-how-to-design…
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  • [参考译文] UCC21530：适用于非 Q1器件的 UVLO

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21530 , UCC21530-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1213244/ucc21530-uvlo-for-non-q1-parts 器件型号： U…
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  • RE: [参考译文] UCC21222：长时间死区的实际限制？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Vlad： 我只能获得大约1.6us 的死区时间、即使 EVM 上有82nF 的本地去耦也会产生很大的噪声。 但是、如果两个输入在一段时间内重叠、则"死区时间"可能会无限期延长。 也就是说、如果两个输入保持高电平达10us、然后其中一个输入关闭、驱动器将有效地输出10us 死区时间。 Vivan 确认100k 是 UCC21551产品说明书最大死区时间设置电阻器…

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