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• RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：SiC MOSFET

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Cedrick、 这个问题有点开放式、遗憾的是无法给出直接答案。 但是、从技术上讲、ISO5852s 几乎可以与任何生产过的 SiC 模型一起使用、但条件是如此。 对于任何驱动器、都存在一些情况。 在我看来、问题是"我们何时可以使用 ISO5852S 驱动特定的 SiCfet "、而不是"它可以驱动哪一个 SICEFETS "、这取决于系统设计和运行条件。 …

  • 4 年多前
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• [FAQ] [参考译文] [常见问题解答] UCC21750：UCC217XX 的最大开关频率是多少？#39？

  

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  Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1125534/faq-ucc21750-what-s-the-maximum-switching-frequency…

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  • 3 年多前
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• [FAQ] 【电源/电池分享】常见问题解答（持续更新中, 更新至10/28/2021）

  

  Annie Liu

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  Other Parts Discussed in Thread: DLPC900 【2021电源/电池分享】常见问题解答（持续更新中, 更新至10/28/2021） 4721.常见问题解答-Power 2021.docx 【2020电源/电池分享】常见问题解答 常见问题解答-Power 2020.docx

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  • 4 年多前
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• [FAQ] [参考译文] [常见问题解答]隔离式栅极驱动器：为什么 OUTH 比 OUTL 具有更高的有效电阻？

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1124306/faq-isolated-gate-drivers-why-does-outh-have-a-higher-effective-resistance-compared-to-ou…

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  • 3 年多前
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