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• UCC21732: UCC21732的CLMPE引脚外接的MOS管后，上电有单板电压都被拉低的现象，摘掉CLMPE引脚外接的MOS管后电压正常，想问原因是什么

  

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  Part Number: UCC21732 使用的UCC21732芯片设计的MOS管驱动电路，使用IC驱动电源为 UCC21732的输出侧供电； 输入IN-下拉接地；输入IN+是输入引脚，接电平转换的输出。CLMPE引脚外接一个MOS管，做有源米勒钳位，整板上电后发现整板电压全部拉低，摘掉 CLMPE引脚外接的MOS管后，供电正常；测量CLMPE引脚和VEE引脚的电压差，其压差为5V，导致CLMPE引脚外接的MOS管导通造成短路现象。 麻烦问一下这个原因是什么导致的？

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  • 2 个月前
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• RE: [参考译文] UCC21732：UCC21732栅极驱动器、用于控制全桥逆变器

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Biruk： 您能否分享您的应用要求、您是否需要在双通道驱动器中实现所有 UCC21732器件功能？ (目前 我们当前的双通道驱动器没有10A 驱动强度、也没有 DESAT/ CLMP 等高级特性。 如果需要所有此类功能、那么您只需要规划单通道驱动器、并且 每个桥臂需要1个用于 HS、1个用于 LS。 希望它能解释一下。 您可以使用 UCC21732来实现并联运行、但不确定您在全桥中是如何规划的…

  • 4 个月前
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• [参考译文] UCC21732-Q1：该 GDIC 可以支持峰值拉电流和灌电流多长时间？(+/-10A)

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1431362/ucc21732-q1-how-long-can-this-gdic-support-peak-source-and-sink-current--10a 器件型号： UCC21732-…

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  • 3 个月前
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• RE: [参考译文] UCC21732：FB 逆变器

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Biruk： 要使高侧导通、需要使(Vgate - Vsource)=15。 在高侧、开关闭合时、Vsource=400V。 因此、您需要 Vgate = 415V 才能使开关保持开启状态。 VGS 仍是15V、因此它不会损坏 MOSFET。 VGS 为浮动电压、因为 Vs 不是0V。 此致、 Sean

  • 4 个月前
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• RE: [参考译文] UCC21732：全桥逆变器

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我不知道您的电源控制是如何工作的、但您需要为高侧栅极驱动器和低侧栅极驱动器使用单独的电源。 它们不能并行进行。

  • 4 个月前
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• RE: [参考译文] UCC21732：UCC21732栅极驱动器所需的 MOSFET

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 它取决于 ron、ron_int、VDD、VEE 和 cg 等、如 XL 计算器中所示。 在馈入所有用户输入后、它将为您提供总功率需求和不同频率的 Tj。 确保到 Tj 的开关频率限制在150度(有一些余量) 您可以根据计划使用的 N 个 FET 将 Qg 和 CG 相乘、并将 rg_int 更新为1个 FET/N 数的 rg_int。 希望它对您有所帮助。

  • 5 个月前
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• RE: [参考译文] UCC21732：UCC21732的未加密 OLB SPICE 模型

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Biruk： 下面是 TI 的 PSPICE 电路示例。 我还没有弄清楚如何制作一个收敛的半桥。 但这可以向您展示栅极驱动器功能。 此致、 Sean e2e.ti.com/.../6253.UCC21750.zip

  • 5 个月前
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• RE: [参考译文] UCC21732：UCC21732 (设计工具和放大器；仿真)

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Biruk： 我们确实有加密的。 UCC21732-Q1文件夹中的 OLB 文件- https://www.ti.com/product/UCC21732-Q1#design-tools-simulation 您可以使用 PSpice for TI 对此模型进行仿真。 如其他帖子中所述、我们不支持使用 LTSpice。 如果在使用 PSpice 时遇到任何问题、请随时联系我们或…

  • 5 个月前
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• RE: [参考译文] UCC21732：使用 AIN 和 APWM 监控温度

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Biruk： 这里没有用于查找温度的设置公式。 这一切都取决于您的电路和热敏电阻。 例如、热敏电阻在25C 下为1kOhm。 您将一个4k Ω 的电阻器串联在一起。 因此、在25°C 时、AIN 电压为500uA*(1k Ω+4k Ω)= 2.5V。 这对应于50%的占空比。 这就是我们知道50%占空比->25°C 的方法。 在50C 时、热敏电阻将是另一个电阻…

  • 5 个月前
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• RE: [参考译文] UCC21732：基于去饱和电路的过流和短路保护

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Biruk、 请查看 此处链接的 UCC217XX Excel 计算器 。 如果使用 OC-AS DESAT 方法、首先要确定器件在何种 VDS 阈值下被视为过流。 您可能需要在整个温度范围内测试该参数。 然后、确定系统可以很好地承受而不会导致器件损坏的最长消隐时间和关断时间。 通常、SiC FET 可以在 DESAT 和 SHUTDOWN 之间承受~2-3us 的容差。…

  • 5 个月前
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