Part Number: UCC21750 Other Parts Discussed in Thread: UCC21710 ,
对于 SiC 驱动，我们需要缩短短路检测时间！
该值由消隐电容器的容值和内部 DESAT 充电电流固定值 (500uA) 决定
如何在不选择固定小容值消隐电容器的情况下，使用 DESAT 缩短 SC 检测时间，从而为 SiC 应用安全地设计具有 DESAT 检测功能的智能栅极驱动器？
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Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 关于UCC21750芯片AIN口用于采集IGBT结温（通过片上温敏二极管）时有些疑问： 1）目前的IGBT片上温敏二极管采样的设计流通电流大多为1mA左右，而21750芯片的电流源大小为200uA无法满足采样要求，当时设计芯片是怎么考虑的？
2) 如果要用于采集,如何改进电路以满足需求？
Other Parts Discussed in Thread: UCC21750-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1015727/ucc21750-q1-vee-undervoltage 器件型号： UCC21750-Q1 各位专家…
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Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 , UCC21750-Q1 , TMS320F28069M 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/975015/ucc21750-q1-three--phase…
