Other Parts Discussed in Thread: UCC27611 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/815999/ucc27611-is-it-possible-to-provide-ta-specificatio…
Other Parts Discussed in Thread: UCC27611 各位好，
在使用UCC27611驱动几个并联的GaN FET时，为控制发热量，想限制UCC27611内置LDO的发热。所以有以下问题：
1、这个内置的LDO的dropout是多少？
如果想保障VREF端有5V，那么VDD端要加的最低电压是多少？（VREF的预计平均电流是32mA）
2、能否直接给VREF提供5V？
能否用一个外置的LDO生成5V电压，直接加给VREF？这样就可以把LDO的损耗移到UCC27611外了…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Daniel、您好！
感谢您与我们联系、我是所有 GaN 驱动器的应用工程师、希望能为您提供帮助。
与硅相比、GaN 技术可以处理更多的辐射、这是事实。 然而、UCC27611不是采用 GaN 技术制造的、而是采用硅 FET 制造的、而是采用 GaN FET 制造的。 如果您需要防辐射栅极驱动器、请查看我们的航天或高可靠性驱动器、它们具有 BJT/MOSFET 输出级、这些输出级组合为非锁存型…
Other Parts Discussed in Thread: UCC27611 , LMG1020 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/675412/ucc27611-minimum-pulse-width 器件型号： UCC27611 …
Other Parts Discussed in Thread: UCC27611 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/697341/ucc27611-question-about-the-integrated-ldo 器件型号： UCC…
Other Parts Discussed in Thread: UCC27611 用UCC27611搭建的驱动GaN FET电路，在FET的Drain极不加电源时，UCC27611输出波形正常，FET的Drain极加电时，UCC27611输出端检测到干扰波；波形见附件（红框中为正常输出波形，黄色框中为干扰波）。请帮忙看下是什么问题，谢谢
