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  • RE: [参考译文] UCC27714：如何为 NFET 软启动周期减慢 HO 上升时间

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 BP101： 感谢您耐心地描述这些问题。 我想我们没有测试过梯形 PWM 情况、我们的许多测试都是使用 IGBT 进行的、这掩盖了您在 MOSFET 情况下描述的许多行为。 UCC27714是我们目前产品目录中唯一的14引脚栅极驱动器、尽管我们还有一些其他8引脚600V 半桥驱动器、例如 UCC27712、但它们在 HO 和 LO 之间提供150ns 互锁保护、这在您的系统配置中不起作用…
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  • RE: [参考译文] LM5109A：保持 HB (自举电容器)充电的最小 PWM 频率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Doug、您好！ 感谢您关注 LM5109A 半桥驱动器。 我是 TI 高功率驱动器组的应用工程师、将致力于解决您的问题。 对于低频运行和自举电容器的大小、您需要考虑您提供的驱动器 IC 偏置电流和栅极至源极泄漏电流。 UCC27712数据表第9.2.2.2节是引导电容器选择的一个很好的参考最新数据表。 有一个用于计算总电荷的公式、其中包括 MOSFET 栅极电荷以及与静态电流和工作频率相关的电荷…

  • RE: 降压斩波电路推荐（输入250-370V，输出220VDC）

    Hi 电流需求多大？ 你可以用半桥驱动器来做，例如UCC27712之类： http://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/ucc27712.pdf 或者你可以采用降压PFC来做：http://www.ti.com.cn/product/cn/UCC29910A
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  • RE: [参考译文] CCS/TIDA-00364：从48VDC 到86VDC 的 VBUS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Pawan： 根据您的专业建议、我将 在 目标应用 (VBUS=86、额定功率3kW)中将 UCC27211 (在 TIDA-00364中)替换为 UCC27712-Q1 。 (我还发现了一个 MOSFET、其中 VDS=150V、RDS (on)=4.8m Ω、ID =171A、以替代 TIDA-00364中的 CSD19506KCS80V)。 我可以再次要求您确认吗？…
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  • RE: [参考译文] UCC21551-Q1：有关 UCC21551-Q1的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Chase： 感谢您回答详细的问题。 Unknown 说： 1. 关于 DT (死区时间)引脚[/QUOT] 是的、只连接死区时间电阻器而没有电容器是可以的。 这里不会出现任何问题。 Unknown 说： 2. 关于引导[/报价] 2-1.) 一般性声明是自举电容器应至少比 MOSFET 的栅极电容大10倍。 请参阅以下有关自举电路选择的应用手册： https://www…
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  • [参考译文] TIDA-00778：将 IGBT 更改为并联的 NMOSFET

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    Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00778 , UCC27714 , TIDA-00364 , UCC27211 , TIDA-00472 , UCC27712-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system…
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  • [参考译文] UCC27212A-Q1：MOSFET 驱动器

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC27212A-Q1 , UCC27712-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/733402/ucc27212a-q1-mosfet-driver 器件型号： UCC27212A…

  • [FAQ] [参考译文] [FAQ]如何为电动汽车(EV)充电站拓扑选择最佳的非隔离式栅极驱动器？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1254547/faq-how-do-i-choose-the-best-non-isolated-gate-driver-for-electric-vehicle-ev-charging-station…

  • 关于UCC27714驱动并联mos的问题

    Other Parts Discussed in Thread: UCC27712 , UCC27714 我原打算用27712驱动半桥mos，但是电流太大，适合用并联mos。于是选用了驱动电流更大的27714，但是我按照资料的例程接线发现了一些不同，不是很理解。 1.27712驱动中有Dgate和Roff，也就是图中的D19和R82，而27714例程中没有，不明白这是为什么。 2.驱动电流达到4A，是不是就意味着12V电源部分就需要达到很大的功率？ 3.我用27714驱动并联mos的这种方式有没有问题…
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  • RE: [参考译文] TPS2834：关于 TPS2834、TPS2835和 TPS51601A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Caliber、 高频的主要问题是、它们会导致器件耗散更多功率并发热。 极其粗略的计算是： P = Fsw * VDD * Qg 此功率乘以结至环境热阻可估算器件升温的程度。 由于您具有非常高的 Fsw 和非常高的 VDD、因此您需要具有非常小的 Qg FET、以避免超过驱动器的热限值。 我不知道您使用的是什么 FET、因此我无法确定它是否可以在2MHz 下运行。 …

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