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• [参考译文] UCC2813-5-Q1：反激式转换器

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1246640/ucc2813-5-q1-flyback-converter 器件型号： UCC2813-5-Q1 我借助 WEBENCH 电源设计工具设计了56反激式转换器、设计编号为 146.我的用户…

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  • 2 年多前
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• [参考译文] UCC2813-5-Q1：电源管理论坛

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1247230/ucc2813-5-q1-power-management-forum 器件型号： UCC2813-5-Q1 我借助 WEBENCH 电源设计工具设计了56反激式转换器、设计编号为 146…

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  • 2 年多前
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• [参考译文] LM5050-1-Q1：基于 LM5050-1-Q1的 ORing 器件 LED 指示灯问题

  

  admin

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  Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1468556/lm5050-1-q1-lm5050-1-q1-based-oring-device-led-indicator…

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  • 10 个月前
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• PCM6360-Q1: The configuration of registers SHDNZ_CFG[1:0] and DREG_KA_TIME[1:0] is abnormal and does not take effect

  

  ?? ?

  Part Number: PCM6360-Q1 The configuration of registers SHDNZ_CFG[1:0] and DREG_KA_TIME[1:0] is abnormal and does not take effect. During use, when SHDNZ_CFG is configured to 0d, DREG can be immediately power down. However, when configured to 1d and 2d…

  • 7 个月前
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• LM5050-1-Q1: 询机器人双电池供电方案

  

  ROCOCO

  TI 认为已经解决

  Part Number: LM5050-1-Q1 您好！ 我们一个机器人项目，想使用双电池供电，两个电池是一样的，电池为2个15串锂电池包，标称电压54V，最高63V，电池包内有BMS电路。 供电可以2个电池同时供电，也可以一个电池供电，供电电流最大可能在50A~80A。 同时，希望支持电池包的热插拔。 请问TI有这种针对机器人的双电池供电充电、支持热插拔的参考方案吗？

  • 1 个月前
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• [参考译文] UCC2813-1-Q1：与扩频时钟同步

  

  admin

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  • 8 年多前
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• TDA4VH-Q1: 1

  

  ?? ?

  TI 认为已经解决

  Part Number: TDA4VH-Q1 使用 PC_dsp_test_dl_algo.out 仿真运行模型时失败 SDK：ti-processor-sdk-rtos-j784s4-evm-11_00_00_06.tar.gz 模型：tidl_io_pld_1.bintidl_net_pld.bin 输入数据： 运行命令：../../test/PC_dsp_test_dl_algo.out ../../test/testvecs/config/config_list_single_pld.txt …

  • 6 个月前
  • 处理器
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• [参考译文] UCC2813-5-Q1：最大 Iout

  

  admin

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  Other Parts Discussed in Thread: UCC2813-5-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1131565/ucc2813-5-q1-maximum-iout 器件型号： UCC2813-5-Q1 大家好…

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  • 3 年多前
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• [参考译文] TS3DV642-Q1：TS3DV642-Q1、一款6Gbps 12通道差分1：2和2：1多路复用器 Android-11集成

  

  admin

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  Other Parts Discussed in Thread: TS3DV642-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1433333/ts3dv642-q1-ts3dv642-q1-a-6-gbps-12-channel-differential-1-to-2-and…

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  • 1 年多前
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• LM5050-1-Q1: 压降问题咨询

  

  Haoyu Liu

  TI 认为已经解决

  Part Number: LM5050-1-Q1 在大电流路径使用这款芯片时VIN和VOUT之间总会存在约24mV的基础压降，这个压降不是由MOSFET的Rds(on)引起的。随电流上升，压降增长很缓慢，增长斜率几乎和MOSFET的Rds相等。通过实测数据拟合可以预见，在电流50A时，损耗功率达到2.4W，发热严重。请问这个压降是如何产生的，怎么避免？ 如图，1-7A数据为实测，损耗为推测。原理图如下 MOSFET型号是HYG012N08NS1TA

  • 5 个月前
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