请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Ramakrishna:
在理论上、可以通过两个 MOSFET 串联来使用级联拓扑、但我相信对于这种低输出功率、栅极驱动电路将产生几乎很大的损耗、因此我建议使用单个 SiC FET。 我们有一款特定的控制器 UCC28C5x、可驱动高压 SiC FET (它是知名峰值电流模式控制器的旋钮、但经过精细调节以实现更高的栅极驱动电压)。 该控制器提供一个可订购的 EVM、该…