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RE: [参考译文] UCC28C56H-Q1:有关 UCC28C56EVM-066的问题、(doc bumber sluucn1c)
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 1) 在有源启动电路上、 如果我在 Vin 和 Q4集电极之间选择一个较大值的电阻器、那么 除了 Dalintion 晶体管外、我是否可以将 Q4更改为常规晶体管? 集电极电阻的最大值由 RC、max (计算公式1、 注意)、在低输入电压下、并考虑最大启动时间(tsmax)。 如果您使用比 Rcmax 更高的 RC 值、则当器件以较低的 Vin 导通时、软启动时间会过长且没有限制…
1 年多前
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RE: [参考译文] UCC28C56H-Q1:有关 UCC28C56EVM-066的问题、(doc bumber sluucn1c)
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 1) 在有源启动电路上、 如果我在 Vin 和 Q4集电极之间选择一个较大值的电阻器、那么 除了 Dalintion 晶体管外、我是否可以将 Q4更改为常规晶体管? 集电极电阻的最大值由 RC、max (计算公式1、 注意)、在低输入电压下、并考虑最大启动时间(tsmax)。 如果您使用比 Rcmax 更高的 RC 值、则当器件以较低的 Vin 导通时、软启动时间会过长且没有限制…
1 年多前
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RE: [参考译文] UCC28C56H-Q1:有关 UCC28C56EVM-066的问题、(doc bumber sluucn1c)
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 1) 在有源启动电路上、 如果我在 Vin 和 Q4集电极之间选择一个较大值的电阻器、那么 除了 Dalintion 晶体管外、我是否可以将 Q4更改为常规晶体管? 集电极电阻的最大值由 RC、max (计算公式1、 注意)、在低输入电压下、并考虑最大启动时间(tsmax)。 如果您使用比 Rcmax 更高的 RC 值、则当器件以较低的 Vin 导通时、软启动时间会过长且没有限制…
1 年多前
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RE: [参考译文] UCC24612:PSpice 文件或 TI 文件的 PSpice
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mike: 我正在寻找反激 QR+DC SR 以实现高效率、并且规范是低输入28V DC、另外一个设计是115VAC 到5V、3A 输出。 QR 反激式选择了 UCC28C56H Q1和 SR 计划使用 UCC24612。 最好同时拥有 PSPICE 或 PSPICE for TI 模型。 请检查并分享相同内容。 -马诺伊
1 年多前
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RE: [参考译文] UCC24612:PSpice 文件或 TI 文件的 PSpice
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mike: 我正在寻找反激 QR+DC SR 以实现高效率、并且规范是低输入28V DC、另外一个设计是115VAC 到5V、3A 输出。 QR 反激式选择了 UCC28C56H Q1和 SR 计划使用 UCC24612。 最好同时拥有 PSPICE 或 PSPICE for TI 模型。 请检查并分享相同内容。 -马诺伊
1 年多前
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RE: [参考译文] UCC28600:用于开关 MOSFET 的反激式变压器初级极性
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、亮! 将电源路径与控制接地隔离的理想方法是在大容量电容器上采用星形连接。 因此、从 MOSFET 源到检测电阻的电源返回路径将在短路径中端接到大容量电容器负极。 大容量电容器负极的控制信号和 IC 采用单独接地、这样一来、可以将高频信号从控制器接地端去耦。 我推荐以下文档、其中提供了一些良好的布局指南、无论使用何种控制器、这些指南都应适用于任何反激式拓扑。 (第41-50页…
1 年多前
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RE: [参考译文] UCC28600:用于开关 MOSFET 的反激式变压器初级极性
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、亮! 将电源路径与控制接地隔离的理想方法是在大容量电容器上采用星形连接。 因此、从 MOSFET 源到检测电阻的电源返回路径将在短路径中端接到大容量电容器负极。 大容量电容器负极的控制信号和 IC 采用单独接地、这样一来、可以将高频信号从控制器接地端去耦。 我推荐以下文档、其中提供了一些良好的布局指南、无论使用何种控制器、这些指南都应适用于任何反激式拓扑。 (第41-50页…
1 年多前
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RE: [参考译文] UCC28600:用于开关 MOSFET 的反激式变压器初级极性
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、亮! 将电源路径与控制接地隔离的理想方法是在大容量电容器上采用星形连接。 因此、从 MOSFET 源到检测电阻的电源返回路径将在短路径中端接到大容量电容器负极。 大容量电容器负极的控制信号和 IC 采用单独接地、这样一来、可以将高频信号从控制器接地端去耦。 我推荐以下文档、其中提供了一些良好的布局指南、无论使用何种控制器、这些指南都应适用于任何反激式拓扑。 (第41-50页…
1 年多前
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[参考译文] UCC28C56H-Q1:输出调节问题
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1217154/
ucc28c56h-q1
-output-regulation-issues 器件型号:
UCC28C56H-Q1
您好、TI。 空载时的电压约为95V、满载时的电压为62V。 有可能通过某种方式加以改进吗…
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1 年多前
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RE: [参考译文] UCC28C56EVM-066:输入电压和额定功率
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Valentinas、 IC 本身是一款可支持多种拓扑和功率级别的通用 PWM 控制器。 IC 周围的组件必须从40V - 100V 更改为支持30W。 然后、在设计能够支持40V 至100V 范围内的30W 后、它可能还支持高达1000V 的30W。 为了保持 DCM、30W 设计需要较低的初级电感值和稍高的匝数比。 这意味着采用新的变压器设计。 这是最大的障碍。 …
1 年多前
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