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  • RE: BQ34Z100-G1: 学习问题

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  • RE: BQ34Z100-G1: 更换电池SOC显示0%

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  • BQ34Z100-G1: 电量

    TI 认为已经解决
    Part Number: BQ34Z100-G1 您好，学习成功了，充电的时候，为什么还没有充满就显示充满了呢？FC置位了，在学习期间也有这样的问题。我的设置Taper current=350mA，cell taper Voltage=170mV，current Taper Window=40seconds；充电电流还有500多mA的时候就显示充满了，充电截止电流都没有到350mA以下，判断充满的条件不是不满足吗？怎么就判断充满了呢？希望能帮忙看下3531.6_13.gg.csv 3240.test6…
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  • RE: [参考译文] BQ34Z100-G1：Learned Pack - AvailableEnergy 奇怪行为

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 使用的 ChemID 与 G1固件相同、跟踪效果也很好。 此外、这些电池被送到 TI 以生成特定的 ChemID、因此我们应该对其感到满意。 看起来它没有使用先前的 OCV、而是 在充电电流停止后60秒内花费了新的时间。 也非常有趣。 ~个月左右,我把 S ã o 100mA 放入包装里,以保持在60%左右。 与往常一样、60秒后、信号跃升到~93%。 我让包坐了一个星期,它确实回到了应有的百分比…
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  • RE: [参考译文] BQ34Z100-G1：Learned Pack - AvailableEnergy 奇怪行为

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 使用的 ChemID 与 G1固件相同、跟踪效果也很好。 此外、这些电池被送到 TI 以生成特定的 ChemID、因此我们应该对其感到满意。 看起来它没有使用先前的 OCV、而是 在充电电流停止后60秒内花费了新的时间。 也非常有趣。 ~个月左右,我把 S ã o 100mA 放入包装里,以保持在60%左右。 与往常一样、60秒后、信号跃升到~93%。 我让包坐了一个星期,它确实回到了应有的百分比…
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  • RE: [参考译文] BQ34Z100-G1：Learned Pack - AvailableEnergy 奇怪行为

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 使用的 ChemID 与 G1固件相同、跟踪效果也很好。 此外、这些电池被送到 TI 以生成特定的 ChemID、因此我们应该对其感到满意。 看起来它没有使用先前的 OCV、而是 在充电电流停止后60秒内花费了新的时间。 也非常有趣。 ~个月左右,我把 S ã o 100mA 放入包装里,以保持在60%左右。 与往常一样、60秒后、信号跃升到~93%。 我让包坐了一个星期,它确实回到了应有的百分比…

  • BQ34Z100-G1: 初步使用过程遇到的一些问题

    TI 认为已经解决
    Part Number: BQ34Z100-G1 TI, 你好！ 目前我们的系统在使用BQ34Z100-G1测量铅酸电池组电量，铅酸电池4节，12V13AH，ChemID设为0809，自学习已经成功，UpdateStatus=0x06，但在初步使用过程中发现一些问题： 1、自学习成功后，系统充电SOC达到100%，然后系统多次断电后重新上电，SOC电量分别显示为96%、90%、88%、87%~75%，每次重启后SOC逐渐变小，为什么？有什么根本解决措施？ 2、系统充满电后电量显示100%，系统断电重启后…

  • BQ34Z100-G1: 电量计电池学习遇到的问题

    Part Number: BQ34Z100-G1 Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50 , 以下是我配置电量计芯片和电池学习过程 根据实际项目规格配置DF参数，选择正确的CHAM ID烧入； 对板子进行校正； 导出这个时候的senc/srec文件备用； 连接电芯到板子，发送reset命令，得到Golden Pack； 把电池放空到3.0V，然后静置5个小时； 发送命令使能IT算法； 把电池充到饱，确保有效的充电中止（100%,FC置位），然后停止充电； 静置两个小时…

  • [参考译文] TMS320C6678：DDR3超时培训和写入矫正

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1017280/tms320c6678-ddr3-timeouts-trainings-and-write-leveling 器件型号： TMS320C6678 你(们)好 我正在定制板上进行 DDR3调制。 我按照"DDR3 PHY…

  • BQ34Z100-G1: BQ34Z100的低温问题

    TI 认为已经解决
    Part Number: BQ34Z100-G1 Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100 , GPCRB , BQSTUDIO 采用BQ34Z100做一个8s的项目，电芯是6.8Ah的，我电流和容量都做了4倍缩放，在-40℃做BQ34Z100低温数据采集时bq34z100只能显示-30.7℃，NTC用的是10k，误差1%，B值是3435，常温下我有校正温度，误差很小，不知道什么原因？我用GPCRB工具做了低温补偿（低温-40℃实际采集的温度是-30.7℃），在验证时常温和低温验证SOC都会从9…

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