Other Parts Discussed in Thread: WOLSP-3P-SIC-MOSFET 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1326695/wolsp-3p-sic-mosfet-wolsp…
Part Number: UCC21540 Other Parts Discussed in Thread: PMP40586 , UCC21530 , TIDA-01605
我參考PMP40586 他使用UCC21540驅動一次側的si mosfet (IPW60R060P7XKSA1) ,我能使用一樣的接法(layout)驅動sic mosfet嗎?
Other Parts Discussed in Thread: UCC28600 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1532935/ucc28600-gate-driver-ic-for-sic-mosfet 器件型号: UCC286…
Part Number: UCC5350-Q1 Other Parts Discussed in Thread: UCC28070
下午好!想了解一下,用两块UCC5350MC-Q1配合UCC28070驱动
SiC MOSFET的话,1、如上2中接法都可以吗?哪种更好?2、上图中的RZ和稳压管的值怎么选择?如果希望
SiC MOSFET的截至电压为-5.1V,那么这稳压管的值选为5.1V吗?此时这芯片的GND悬空?3、我现在非隔离应用,用下图的话,那么GND1和VEE2可以直接连一起?
Other Parts Discussed in Thread: UCC21710 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491644/ucc21710-high-side-sic-mosfet-gate-driver-layout-…
Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1484749/ucc21710-q1-gate-driver-for-3300v-microchip-sic-m…