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  • [参考译文] TPS2663：SiC 电子保险丝控制器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1604495/tps2663-sic-efuse-controller 器件型号： TPS2663 尊敬的团队： 客户需要 SiC 电子保险丝控制器、您能帮助推广吗？ 系统信息如下所示： 输出功率…

  • [参考译文] UCC256402：将外部 SiC 栅极驱动器 (UCC21520) 与 UCC256402 搭配使用

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21520 , UCC256402 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1588569/ucc256402-using-an-external-sic-gate-driver…
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  • [参考译文] UCC20520：如何选择合适的栅极驱动器

    TI 认为已经解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC20520 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1648154/ucc20520-how-to-select-an-appropriate-gate-driver …
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  • RE: [参考译文] DRV8706S-Q1EVM：在 48V 系统中使用 DRV8706S 时、我是否需要研究电机驱动器的米勒钳位？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 米勒钳位似乎用于 IGBT 或 SiC MOSFET。 DRV8706Q1 不适用于 IGBT/SiC / GaN 驱动。 仅适用于普通 FET 12V 汽车电池应用。 FET Rdson 在 20KhHz PWM 有刷直流电机下的范围可以为 5-20m Ω。 在 TI 内部、另一个产品组（例如 UCC23514） 具有有源钳位、可以驱动 IGBT。 我关闭这个主题…
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  • RE: [参考译文] DRV8706S-Q1EVM：在 12V 系统中使用 DRV8706S 时、我是否需要对电机驱动器的米勒钳位进行一些研究？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 米勒钳位似乎用于 IGBT 或 SiC MOSFET。 DRV8706Q1 不适用于 IGBT/SiC / GaN 驱动。 仅适用于普通 FET 12V 汽车电池应用。 FET Rdson 在 20KhHz PWM 有刷直流电机下的范围可以为 5-20m Ω。 在 TI 内部、另一个产品组（例如 UCC23514） 具有有源钳位、可以驱动 IGBT。 我关闭这个主题…

  • RE: UCC14140-Q1: UCC14140-Q1 汽车类隔离式直流/直流模块

    另外，COM 还未与被驱动的SiC MOSFET的源极连接，这是否是影响 VDD和VEE无电压输出的因素？

  • DRV8301: DRV8301 negative-voltage shutdown circuit

    TI 认为已经解决
    Part Number: DRV8301 I plan to drive SiC MOSFETs with a DRV8301. Can I add a negative-voltage hold capacitor and a negative-voltage clamp (zener) diode after the DRV8301 to form a negative-voltage shutdown circuit? What precautions or considerations…
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  • RE: [参考译文] TUSB1142EVM：为什么 CC1 和 CC2 在原理图上发生翻转？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 在 BOM 中、我们看到 U8 和 U9 列为 n 沟道 MOSFET。 它们是按照这一目的设计的、并且错误地使用了 JFET。 U8 为 DNI、已填充 U9、但不经常使用该函数。 任何具有 3.3V 兼容 Vgs 电压的 n 沟道 MOSFET 都将生效。 也可以按正常方向布线 CC1 和 CC2、并移除 MOSFET 逆变器。 U8 MOSFET…
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  • RE: [参考译文] ADS124S08：如何将 3 个 NTC 与 ADS124S08 连接？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bryan 我拜访了我的客户的上一个星期四、该 ADC 为 X 射线/CT 系统设计高压电源。 在拜访过程中、客户询问我们如何监测 IGBT/SIC-MOSFET 温度以提高系统可靠性。 然后、我研究了 IGBT/SICMOSFET 并发现模块中集成了 1 或 3 个 NTC。 我的第一个想法是使用 ADS1220 来监测 IGBT/SICMOSFET 温度,然而,对于三相…

  • RE: PMP41009: PMP41009: UCC28740-Q1

    Hello, I have another question to ask you. In the circuit design like PMP41009, the control chip only needs to control one MOSFET. Do I need to add a driver chip between the control chip and the SiC MOSFET? If so, do you have any recommended driver chips…

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