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  • RE: UCC14140-Q1: UCC14140-Q1 汽车类隔离式直流/直流模块

    另外，COM 还未与被驱动的SiC MOSFET的源极连接，这是否是影响 VDD和VEE无电压输出的因素？
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  • RE: [参考译文] TUSB1142EVM：为什么 CC1 和 CC2 在原理图上发生翻转？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 在 BOM 中、我们看到 U8 和 U9 列为 n 沟道 MOSFET。 它们是按照这一目的设计的、并且错误地使用了 JFET。 U8 为 DNI、已填充 U9、但不经常使用该函数。 任何具有 3.3V 兼容 Vgs 电压的 n 沟道 MOSFET 都将生效。 也可以按正常方向布线 CC1 和 CC2、并移除 MOSFET 逆变器。 U8 MOSFET…
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  • RE: [参考译文] ADS124S08：如何将 3 个 NTC 与 ADS124S08 连接？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bryan 我拜访了我的客户的上一个星期四、该 ADC 为 X 射线/CT 系统设计高压电源。 在拜访过程中、客户询问我们如何监测 IGBT/SIC-MOSFET 温度以提高系统可靠性。 然后、我研究了 IGBT/SICMOSFET 并发现模块中集成了 1 或 3 个 NTC。 我的第一个想法是使用 ADS1220 来监测 IGBT/SICMOSFET 温度,然而,对于三相…

  • RE: PMP41009: PMP41009: UCC28740-Q1

    Hello, I have another question to ask you. In the circuit design like PMP41009, the control chip only needs to control one MOSFET. Do I need to add a driver chip between the control chip and the SiC MOSFET? If so, do you have any recommended driver chips…

  • PMP41009: PMP41009: UCC28740-Q1

    Part Number: PMP41009 Other Parts Discussed in Thread: UCC28740-Q1 Hello, I am currently designing a flyback power supply with reference to PMP41009. May I ask if there is a reference circuit design for a dual-switch flyback power supply circuit like PMP41009…
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  • [参考译文] TMS320F28379D：SiC MOSFET 在体二极管的传导阶段导通

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    Other Parts Discussed in Thread: TMS320F28379D 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1515637/tms320f28379d-sic-mosfet-aktive…

  • "MOSFETs: The Silent Killers in Fast Charging or Unsung Heroes? (Data-Backed Debate Requested)"

    TI 认为已经解决
    The Triggering Observation During teardowns of 23 failed EV chargers and phone adapters (2019-2023), MOSFET failures accounted for 81% of catastrophic faults - yet OEMs bury this component in obscurity. How can a sub-$0.1 part dictate the success of $500M…
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  • RE: [参考译文] UC3842：有关 SMPS 设计的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 如果您可以确保 SiC MOSFET Vgs 相对于 UC3842正确、则可以使用。 我认为您需要添加外部 UVLO 开/关电路来帮助实现这一点。 因此、除非您认为可以添加外部电路以确保 UVLO 开/关功能能够适应 SiC MOSFET、否则最好使用 UCC28C56H。
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  • RE: [参考译文] UCC27532：UCC27532

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 我不使用外部微控制器、而是使用 QR 反激式 PWM IC。 这个 IC 的输出将为 48kHz PWM 两者之间的信号摆幅 18V 高电平和 0V 低电平（即 GND）。 请相应地告知我。 下面是第二个问题。 器件 UCC27538 用于代替 UCC27532 的 sic MOSFET 吗？ 两者均来自同一系列、也在数据表中提到了用于 SIC MOSFET 的用途…
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  • RE: [参考译文] UCC21750-Q1：外部软关断电容器计算

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Prathik： 求出 tSTO 值并不像将数字插入公式一样简单、因为它取决于应用。 其思路是选择一个足够长的软关断时间来限制短路事件期间的 di/dt（这可以控制 VDS 过冲）、但仍然足够短、以确保器件保持在其短路耐受时间内。 关于串联的电阻、 RG_Int 是 SiC MOSFET 或 IGBT 模块的内部电阻、而 RG_1 是栅极电阻。 RG_Int 的电阻值取决于…

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