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找到 669 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • "MOSFETs: The Silent Killers in Fast Charging or Unsung Heroes? (Data-Backed Debate Requested)"

    TI 认为已经解决
    The Triggering Observation During teardowns of 23 failed EV chargers and phone adapters (2019-2023), MOSFET failures accounted for 81% of catastrophic faults - yet OEMs bury this component in obscurity. How can a sub-$0.1 part dictate the success of $500M…
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  • RE: [参考译文] UC3842：有关 SMPS 设计的问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 如果您可以确保 SiC MOSFET Vgs 相对于 UC3842正确、则可以使用。 我认为您需要添加外部 UVLO 开/关电路来帮助实现这一点。 因此、除非您认为可以添加外部电路以确保 UVLO 开/关功能能够适应 SiC MOSFET、否则最好使用 UCC28C56H。
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  • RE: [参考译文] UCC27532：UCC27532

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 我不使用外部微控制器、而是使用 QR 反激式 PWM IC。 这个 IC 的输出将为 48kHz PWM 两者之间的信号摆幅 18V 高电平和 0V 低电平（即 GND）。 请相应地告知我。 下面是第二个问题。 器件 UCC27538 用于代替 UCC27532 的 sic MOSFET 吗？ 两者均来自同一系列、也在数据表中提到了用于 SIC MOSFET 的用途…
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  • RE: [参考译文] UCC21750-Q1：外部软关断电容器计算

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Prathik： 求出 tSTO 值并不像将数字插入公式一样简单、因为它取决于应用。 其思路是选择一个足够长的软关断时间来限制短路事件期间的 di/dt（这可以控制 VDS 过冲）、但仍然足够短、以确保器件保持在其短路耐受时间内。 关于串联的电阻、 RG_Int 是 SiC MOSFET 或 IGBT 模块的内部电阻、而 RG_1 是栅极电阻。 RG_Int 的电阻值取决于…
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  • RE: [参考译文] UCC21750-Q1：UCC21750：并联 DESAT

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢您的回答。 MOSFET 是 SiC、为了更大限度地减小栅极环路电感、我更倾向于为每个 MOSFET 使用尽可能靠近栅极引脚的电感。 我可以使用一个具有 2 个缓冲器的栅极驱动器或一个具有单个缓冲器的栅极驱动器、每个栅极驱动器驱动一个 MOSFET、但这样开关的时序会有所不同
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  • RE: [参考译文] UCC28C59-Q1：UCC28C59-Q1多路输出反激式设计

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 如果您想在18V 电压下驱动 SiC MOSFET、那么 UCC28C57H-Q1是合适的选择。 UCC28C59 UVLO off 为12.5V、因此您需要检查这对于您的 SiC 是否合适。 UCC28C57H-Q1 UVLO 关断、电压为15.5V、因此比 UCC28C59-Q1对18V SiC 更安全。
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  • [参考译文] UCC28C54：UCC28C54

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC28600 , UCC28630 , UCC28C54 , UCC28781 , LM5023 , UCC2801 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1531543/ucc28c54…
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  • [参考译文] PMP23338：需要有关修改适用于基于 SiC 的定制配置的 PMP23338（图腾柱 PFC）参考设计的指南

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: PMP23338 , TMS320F280049C 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design…
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  • [参考译文] UCC21520：没有负栅极脉冲的 SiC

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC21520 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1499401/ucc21520-sic-without-negative-gate-pulse 器件型号： UCC2…

  • RE: PMP41009: 电路设计

    Hello, I have another question. The chip I selected for the flyback circuit I designed has a built-in high-voltage startup circuit, so there is no need for an external high-voltage startup circuit to provide the initial voltage. The MOSFET I use is a…

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