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找到 697 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • PMP41009: PMP41009: UCC28740-Q1

    Part Number: PMP41009 Other Parts Discussed in Thread: UCC28740-Q1 Hello, I am currently designing a flyback power supply with reference to PMP41009. May I ask if there is a reference circuit design for a dual-switch flyback power supply circuit like PMP41009…
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  • [参考译文] TMS320F28379D：SiC MOSFET 在体二极管的传导阶段导通

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TMS320F28379D 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1515637/tms320f28379d-sic-mosfet-aktive…
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  • RE: [参考译文] UCC21732-Q1：过流保护

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Carter： 感谢您的答复。 SiC MOSFET 正常关断期间的击穿电流。 我已经测量了电压 VOC（采用去饱和保护电路布置的消隐电容器两端的电压）。 我观察到、由于 SiC MOSFET 的 dv/dt = 50 V/ns、电压 VOC 会突然升高。 VOC 的峰值达到 2V、令人惊讶的是栅极驱动器未检测到任何伪故障。 根据数据表、OC 引脚检测故障的内部阈值为 0…

  • "MOSFETs: The Silent Killers in Fast Charging or Unsung Heroes? (Data-Backed Debate Requested)"

    TI 认为已经解决
    The Triggering Observation During teardowns of 23 failed EV chargers and phone adapters (2019-2023), MOSFET failures accounted for 81% of catastrophic faults - yet OEMs bury this component in obscurity. How can a sub-$0.1 part dictate the success of $500M…
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  • RE: [参考译文] UC3842：有关 SMPS 设计的问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 如果您可以确保 SiC MOSFET Vgs 相对于 UC3842正确、则可以使用。 我认为您需要添加外部 UVLO 开/关电路来帮助实现这一点。 因此、除非您认为可以添加外部电路以确保 UVLO 开/关功能能够适应 SiC MOSFET、否则最好使用 UCC28C56H。
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  • RE: [参考译文] UCC27532：UCC27532

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 我不使用外部微控制器、而是使用 QR 反激式 PWM IC。 这个 IC 的输出将为 48kHz PWM 两者之间的信号摆幅 18V 高电平和 0V 低电平（即 GND）。 请相应地告知我。 下面是第二个问题。 器件 UCC27538 用于代替 UCC27532 的 sic MOSFET 吗？ 两者均来自同一系列、也在数据表中提到了用于 SIC MOSFET 的用途…
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  • RE: [参考译文] UCC28C59-Q1：UCC28C59-Q1多路输出反激式设计

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 如果您想在18V 电压下驱动 SiC MOSFET、那么 UCC28C57H-Q1是合适的选择。 UCC28C59 UVLO off 为12.5V、因此您需要检查这对于您的 SiC 是否合适。 UCC28C57H-Q1 UVLO 关断、电压为15.5V、因此比 UCC28C59-Q1对18V SiC 更安全。
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  • RE: [参考译文] UCC21750-Q1：外部软关断电容器计算

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Prathik： 求出 tSTO 值并不像将数字插入公式一样简单、因为它取决于应用。 其思路是选择一个足够长的软关断时间来限制短路事件期间的 di/dt（这可以控制 VDS 过冲）、但仍然足够短、以确保器件保持在其短路耐受时间内。 关于串联的电阻、 RG_Int 是 SiC MOSFET 或 IGBT 模块的内部电阻、而 RG_1 是栅极电阻。 RG_Int 的电阻值取决于…
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  • RE: [参考译文] UCC21750-Q1：UCC21750：并联 DESAT

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢您的回答。 MOSFET 是 SiC、为了更大限度地减小栅极环路电感、我更倾向于为每个 MOSFET 使用尽可能靠近栅极引脚的电感。 我可以使用一个具有 2 个缓冲器的栅极驱动器或一个具有单个缓冲器的栅极驱动器、每个栅极驱动器驱动一个 MOSFET、但这样开关的时序会有所不同
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  • [参考译文] UCC21520：没有负栅极脉冲的 SiC

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC21520 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1499401/ucc21520-sic-without-negative-gate-pulse 器件型号： UCC2…

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