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  • RE: [参考译文] UCC28C59-Q1：UCC28C59-Q1多路输出反激式设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 如果您想在18V 电压下驱动 SiC MOSFET、那么 UCC28C57H-Q1是合适的选择。 UCC28C59 UVLO off 为12.5V、因此您需要检查这对于您的 SiC 是否合适。 UCC28C57H-Q1 UVLO 关断、电压为15.5V、因此比 UCC28C59-Q1对18V SiC 更安全。
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  • RE: [参考译文] UCC21750-Q1：UCC21750：并联 DESAT

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢您的回答。 MOSFET 是 SiC、为了更大限度地减小栅极环路电感、我更倾向于为每个 MOSFET 使用尽可能靠近栅极引脚的电感。 我可以使用一个具有 2 个缓冲器的栅极驱动器或一个具有单个缓冲器的栅极驱动器、每个栅极驱动器驱动一个 MOSFET、但这样开关的时序会有所不同
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  • [参考译文] UCC28C54：UCC28C54

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC28600 , UCC28630 , UCC28C54 , UCC28781 , LM5023 , UCC2801 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1531543/ucc28c54…
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  • [参考译文] PMP23338：需要有关修改适用于基于 SiC 的定制配置的 PMP23338（图腾柱 PFC）参考设计的指南

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    Other Parts Discussed in Thread: PMP23338 , TMS320F280049C 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design…
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  • [参考译文] UCC21520：没有负栅极脉冲的 SiC

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21520 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1499401/ucc21520-sic-without-negative-gate-pulse 器件型号： UCC2…

  • RE: PMP41009: 电路设计

    Hello, I have another question. The chip I selected for the flyback circuit I designed has a built-in high-voltage startup circuit, so there is no need for an external high-voltage startup circuit to provide the initial voltage. The MOSFET I use is a…
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  • RE: UCC5350: UCC5350输出问题

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    该电路驱动sic mosfet ,kv为sic mosfet kelvin引脚
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  • RE: [参考译文] UCC21732：UCC21732栅极驱动器所需的 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Sasikala、 更清楚地说、我有一个10A UCC21732栅极驱动器和一个 SiC MOSFET (40A MOSFET、106nC 总栅极电荷)。 根据此规格、我想计算 UCC21732栅极驱动器可以驱动多少个 SiC MOSFET？ 谢谢
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  • RE: [参考译文] UCC28600：UCC28600

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Rubas、 OUT-H 和 OUT-L 仅为 MOSFET 的灌电流和拉电流提供两条独立路径。 在我的设计中、我使用的是 SiC MOSFET、最合适的 MOSFET 栅极驱动器中的单路输出或分离输出。 如果没有特别的优势,我可以给我们 栅极驱动器中单个 OUT 引脚的 MOSFET 灌电流和拉电流二极管方案。 如果有任何 MOSFET 栅极电流并丢失可用的计算工具…
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  • [参考译文] UCC5880-Q1：在发生击穿事件时 DESAT 功能

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5880-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1497410/ucc5880-q1-desat-function-in-a-shoot-through-ev…

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