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  • MOSFET Parasitic Diode E2E Solution: From Design to Mass Production

    TI 认为已经解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD18532Q5B , CSD19536KCS E2E Engineering Pain Points Common issues across product lifecycle: Normal simulation but high MOSFET failure rate in mass production Random reboots in field due to reverse current breakdo…
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  • [参考译文] TPS40200-HT：P-MOS 建议

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS40200-HT 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1462827/tps40200-ht-p-mos-suggestion 器件型号： TPS40200-HT 工具与软件…

  • UCC21737-Q1: UCC21737QDWRQ1驱动的PSIM仿真模型

    TI 认为已经解决
    Part Number: UCC21737-Q1 现在想要做一个驱动电路的仿真模型搭建，目前计划使用UCC21737QDWRQ1驱动芯片对SIC-MOSFET进行驱动，想要做一下仿真，想问问UCC21737QDWRQ1有没有在PSIM上的模型。谢谢
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  • RE: [参考译文] TIDA-01606：F280039C 中的 SVPWM 和中点控制配置

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 好的、谢谢、我可以说 T 型 PFC 用 SiC MOSFET 的有源导通取代了 Vienna PFC 中二极管的无源导通时间吗？
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  • RE: [参考译文] UCC21330-Q1：采用开尔文引脚的 SiC MOS 参考设计

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的专家： 客户希望在800V 压缩机项目中使用此电路来驱动具有开尔文引脚的 SiC MOSFET。 占空比会有所不同。 1.您知道我们是否有关于使用以下半桥电路的800V SiC 压缩机系统的一些成功案例吗? 对于占空比变化的情况、这似乎非常困难。 2.您能提供 CZ 和 VZ 的建议值吗?
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  • RE: [参考译文] TPSI31P1-Q1：设计引入问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Igor、 感谢您联系我们的 E2E 团队。 输入端应连接电容器和电阻器串。 当存在可能中断预充电的波动时、电容器有助于稳定输入端的电压。 这些电阻有助于确保在预充电路径失效断开的情况下电容器放电。 选择二极管时的主要要求是电压和电流。 我最初选择了超快模式、以便尽可能减少反向恢复变量、但我不确定此应用是否真的很重要。 最好选择具有最小栅极电荷 (Qg) 的 MOSFET…

  • PMP41009: UCC5350M

    TI 认为已经解决
    Part Number: PMP41009 Hello ,The schematic diagram below is the circuit design I referenced, which uses the UCC5350M driver chip to drive the SiC MOSFET. Since the chip requires the two sides (left and right) to not share a common ground, the supply voltage…
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  • [参考译文] UCC28950-Q1：为高功率 DC/DC 转换器的 UCC28950 设计缓冲器设计问题

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC28950 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1584786/ucc28950-q1-issues-to-design-snubber-for-ucc28950…
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  • RE: [参考译文] UCD7138：用于 800V HVDC

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Francis： 遗憾的是、使用 UCD7138 需要在 VD 引脚上具有一个 HV 阻断 FET。 但是、您不需要使用 SiC FET。 正常的 1000V Si FET 可以使用、因为电流将处于低电平。 基于电压的控制 自然需要阻断 MOSFET、因为您 需要测量高压总线。 另一个选项是基于电流的控制。 TI 没有任何基于电流的控制 SR 控制器、但您可以在 C2x…
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  • RE: [参考译文] UCC28C54：所选的反激式转换器 IC 是否可用于108W 应用？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 是的、可以使用此器件。 如果使用 SiC MOSFET、可以考虑 UCC28C56。

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