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• [参考译文] UCC15241-Q1：隔离式栅极驱动器设计解决方案

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1390327/ucc15241-q1-isolated-gate-driver-design-solutions 器件型号： UCC15241-Q1 工具与软件： 你好 我们目前正在寻找一种能够通过一个…

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  • 2 年多前
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• [参考译文] UCC21750-Q1：栅极驱动器 FLT（故障）引脚故障

  

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  Other Parts Discussed in Thread: UCC21750-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1584156/ucc21750-q1-gate-driver-flt-fault-pin-malfunct…

  • 10 个月前
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• [参考译文] TPS40200-HT：P-MOS 建议

  

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  Other Parts Discussed in Thread: TPS40200-HT 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1462827/tps40200-ht-p-mos-suggestion 器件型号： TPS40200-HT 工具与软件…

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  • 1 年多前
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• [参考译文] UCC21550：UCC21550全桥 LLC İsolated 栅极驱动器研究

  

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  Other Parts Discussed in Thread: UCC21550 , UCC21330 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1504742/ucc21550-ucc21550-full-bridge-llc-solated…

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  • 1 年多前
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• MOSFET Parasitic Diode E2E Solution: From Design to Mass Production

  

  vbsemi

  TI 认为已经解决

  Other Parts Discussed in Thread: CSD18532Q5B , CSD19536KCS E2E Engineering Pain Points Common issues across product lifecycle: Normal simulation but high MOSFET failure rate in mass production Random reboots in field due to reverse current breakdo…

  • 1 年多前
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• UCC21737-Q1: UCC21737QDWRQ1驱动的PSIM仿真模型

  

  HAONAN ZHOU

  TI 认为已经解决

  Part Number: UCC21737-Q1 现在想要做一个驱动电路的仿真模型搭建，目前计划使用UCC21737QDWRQ1驱动芯片对SIC-MOSFET进行驱动，想要做一下仿真，想问问UCC21737QDWRQ1有没有在PSIM上的模型。谢谢

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] TIDA-01606：F280039C 中的 SVPWM 和中点控制配置

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 好的、谢谢、我可以说 T 型 PFC 用 SiC MOSFET 的有源导通取代了 Vienna PFC 中二极管的无源导通时间吗？

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] UCC21330-Q1：采用开尔文引脚的 SiC MOS 参考设计

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的专家： 客户希望在800V 压缩机项目中使用此电路来驱动具有开尔文引脚的 SiC MOSFET。 占空比会有所不同。 1.您知道我们是否有关于使用以下半桥电路的800V SiC 压缩机系统的一些成功案例吗? 对于占空比变化的情况、这似乎非常困难。 2.您能提供 CZ 和 VZ 的建议值吗?

  • 1 年多前
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• [参考译文] UCC21750：如果 OUTH 和 OUTL 通过串联电阻连接在一起来控制共源 MOSFET、仿真模型无法工作/该器件是否会工作

  

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  Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1647924/ucc21750-simulation-models-not-working-will-the-part…

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  • 3 个月前
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• RE: [参考译文] TPSI31P1-Q1：设计引入问题

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Igor、 感谢您联系我们的 E2E 团队。 输入端应连接电容器和电阻器串。 当存在可能中断预充电的波动时、电容器有助于稳定输入端的电压。 这些电阻有助于确保在预充电路径失效断开的情况下电容器放电。 选择二极管时的主要要求是电压和电流。 我最初选择了超快模式、以便尽可能减少反向恢复变量、但我不确定此应用是否真的很重要。 最好选择具有最小栅极电荷 (Qg) 的 MOSFET…

  • 1 年多前
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