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  • RE: [参考译文] TPSI31P1-Q1：设计引入问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Igor、 感谢您联系我们的 E2E 团队。 输入端应连接电容器和电阻器串。 当存在可能中断预充电的波动时、电容器有助于稳定输入端的电压。 这些电阻有助于确保在预充电路径失效断开的情况下电容器放电。 选择二极管时的主要要求是电压和电流。 我最初选择了超快模式、以便尽可能减少反向恢复变量、但我不确定此应用是否真的很重要。 最好选择具有最小栅极电荷 (Qg) 的 MOSFET…

  • PMP41009: UCC5350M

    TI 认为已经解决
    Part Number: PMP41009 Hello ,The schematic diagram below is the circuit design I referenced, which uses the UCC5350M driver chip to drive the SiC MOSFET. Since the chip requires the two sides (left and right) to not share a common ground, the supply voltage…
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  • [参考译文] UCC28950-Q1：为高功率 DC/DC 转换器的 UCC28950 设计缓冲器设计问题

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC28950 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1584786/ucc28950-q1-issues-to-design-snubber-for-ucc28950…
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  • RE: [参考译文] UCC21750：为什么 SiC 隔离式栅极驱动器都是电压型驱动器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Francis： 即使低压侧在内部使用电流源、驱动 SiC MOSFET 栅极的级仍会像电压源一样。 栅极是容性负载、因此开关行为由施加的栅极电压和外部栅极网络决定。 未来的隔离式栅极驱动器全都改为电压源结构的原因是、与电压源相比、电流源栅极驱动器的优势有限。 此致、 Muiz.
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  • RE: [参考译文] UCD7138：用于 800V HVDC

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Francis： 遗憾的是、使用 UCD7138 需要在 VD 引脚上具有一个 HV 阻断 FET。 但是、您不需要使用 SiC FET。 正常的 1000V Si FET 可以使用、因为电流将处于低电平。 基于电压的控制 自然需要阻断 MOSFET、因为您 需要测量高压总线。 另一个选项是基于电流的控制。 TI 没有任何基于电流的控制 SR 控制器、但您可以在 C2x…
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  • RE: [参考译文] UCC28C54：所选的反激式转换器 IC 是否可用于108W 应用？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 是的、可以使用此器件。 如果使用 SiC MOSFET、可以考虑 UCC28C56。
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  • [参考译文] UCC21710-Q1：UCC21710-Q1

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC21710 , UCC21710-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1255398/ucc21710-q1-ucc21710-q1 器件型号： UCC21710…
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  • [参考译文] UCC21521：SiC 慢速开关双路栅极驱动器

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC21521 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1457432/ucc21521-dual-gate-driver-sic-slow-switching 器件型号：…
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  • [参考译文] TIDM-02000：全桥上的 SiC 肖特基二极管

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TIDM-02000 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1399310/tidm-02000-sic-schottky-diodes…
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  • RE: [参考译文] UCC5350-Q1：选择栅极驱动器时需要帮助

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 UCC21750 是否适用于 SI MOSFET？ 我不打算使用 SIC、IGBT、我实际上想构建一个将驱动升压变压器的全桥、这是一个可编程 D 类放大器应用。 请告诉我 UCC21750 是否适合此应用、我肯定会阅读自举文章。 感谢您分享信息。 请回答我的问题。

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