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  • RE: [参考译文] UCC28C56EVM-066：如何计算前沿消隐和斜率补偿电路值？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 (1) 和 (2)、请参阅以下文章第 4 节。 使用 SiC MOSFET 实现 800V 牵引反向的高密度辅助电源 (3) 对 C17 和 R13 以及 C9 和 C10 以及负载进行调优、使 Vout 在满载时上升时间约为 10ms。 您可以从 C17 和 R13 开始、并具有您的目标输出电压上升时间（在 EVM 中、800Vin 和 2.7A 时为 10ms）…
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  • RE: [参考译文] PMP10783：PMP10783稳定性问题；TI 功率级设计人员工具显示相位裕度不符合标准。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 对于900V 输入设计、计划使用 SiC MOSFET。 UCC28C42可用于驱动 SiC MOSFET？ 很难找到非 SiC 的1200V 额定 MOSFET。
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  • [参考译文] UCC5320SCEVM-058：客户是否可以使用 UCC5320S EVM 评估 SIC MOS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1352483/ucc5320scevm-058-can-customer-use-ucc5320s-evm-evaluate-sic-mos 器件型号： UCC5320SCEVM-058 大家好、 …
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  • RE: [参考译文] UCC14241-Q1：UCC14241 适用于基于 UCC21710 的 SiC 栅极驱动器的 RLIM 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢图、这些都很好。 看起来 sic 一直在上升到 2.75V。 此时、FBVEE 和 FBVDD 开始衰减。[/报价] FBVDD 看起来不错、但 FBVEE=2.75V 会触发 FBVEE OVP 并导致 IC 关断。 RLIM 无法帮助解决电荷不平衡问题、您可以看到、在任何 PWM 脉冲出现之前、RLIM 处于活动状态、但 UCC14241-Q1 在这段时间内处于空闲状态…
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  • RE: [参考译文] UCC5870-Q1：关于 UCC5870-Q1 DESAT 问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Wenyung： SiC MOSFET 也将具有类似的行为。 实际上、由于 SiC FET 通常具有高导通速度并且通常与较小的栅极电阻一起使用、因此 SiC FET 遇到的 dv/dt 通常将高于 IGBT 的 IGBT。 因此、在设计采用 SiC FET 的 DESAT 电路时、小结电容高压二极管变得更加重要。 希望这对您有所帮助！ 薇薇安
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  • RE: [参考译文] UCC5870-Q1：关于 UCC5870-Q1 DESAT 问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Wenyung： SiC MOSFET 也将具有类似的行为。 实际上、由于 SiC FET 通常具有高导通速度并且通常与较小的栅极电阻一起使用、因此 SiC FET 遇到的 dv/dt 通常将高于 IGBT 的 IGBT。 因此、在设计采用 SiC FET 的 DESAT 电路时、小结电容高压二极管变得更加重要。 希望这对您有所帮助！ 薇薇安
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  • RE: [参考译文] UCC5870-Q1：关于 UCC5870-Q1 DESAT 问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Wenyung： SiC MOSFET 也将具有类似的行为。 实际上、由于 SiC FET 通常具有高导通速度并且通常与较小的栅极电阻一起使用、因此 SiC FET 遇到的 dv/dt 通常将高于 IGBT 的 IGBT。 因此、在设计采用 SiC FET 的 DESAT 电路时、小结电容高压二极管变得更加重要。 希望这对您有所帮助！ 薇薇安
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  • RE: [参考译文] UCC5870-Q1：关于 UCC5870-Q1 DESAT 问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Wenyung： SiC MOSFET 也将具有类似的行为。 实际上、由于 SiC FET 通常具有高导通速度并且通常与较小的栅极电阻一起使用、因此 SiC FET 遇到的 dv/dt 通常将高于 IGBT 的 IGBT。 因此、在设计采用 SiC FET 的 DESAT 电路时、小结电容高压二极管变得更加重要。 希望这对您有所帮助！ 薇薇安

  • UCC21520: 负压应用电路

    TI 认为已经解决
    Part Number: UCC21520 想使用UCC21520应用手册P32的电路来驱动SIC mosfet（如下图所示），请问：1）是否有此电路的评估板？2）是否有UCC21520驱动 SIC mosfet的 相关测试数据？3）手册中UVLO所监测的电压为图中Va+与 Va-之和吗？
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  • [参考译文] UCC21530：在 TIDA-01605和 PMP22002中创建 Coma 和梳状连接的原因是什么

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21530 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1455345/ucc21530-what-is-the-reason-of-creating-coma-and-comb…

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