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  • [参考译文] UCC5880-Q1：在 DESAT 引脚和接地端使用多大的消隐电容器值

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5880-Q1 , UCC5881-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1499413/ucc5880-q1-how-much-value-blanking-capacitor…
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  • RE: [参考译文] UCC21710-Q1：负载和 AIN 测量突然出现电源故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Pratik、感谢您提供应用手册。 我想我们已经解决了这个问题。 以前我们使用 IGBT 作为主开关器件、在同一个逆变器硬件上、此解决方案运行良好、栅极驱动器没有问题。 但是,一旦我们切换到 SiC MOSFET(在同一硬件上),我们就开始得到所有这些问题。 IGBT 和 SiC 的摩擦几乎不简单、除了一个主要差异、IGBT 的内部栅极电阻(Rgint)为10欧姆…
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  • RE: [参考译文] UCC21710-Q1：负载和 AIN 测量突然出现电源故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Pratik、感谢您提供应用手册。 我想我们已经解决了这个问题。 以前我们使用 IGBT 作为主开关器件、在同一个逆变器硬件上、此解决方案运行良好、栅极驱动器没有问题。 但是,一旦我们切换到 SiC MOSFET(在同一硬件上),我们就开始得到所有这些问题。 IGBT 和 SiC 的摩擦几乎不简单、除了一个主要差异、IGBT 的内部栅极电阻(Rgint)为10欧姆…
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  • RE: [参考译文] UCC21710-Q1：负载和 AIN 测量突然出现电源故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Pratik、感谢您提供应用手册。 我想我们已经解决了这个问题。 以前我们使用 IGBT 作为主开关器件、在同一个逆变器硬件上、此解决方案运行良好、栅极驱动器没有问题。 但是,一旦我们切换到 SiC MOSFET(在同一硬件上),我们就开始得到所有这些问题。 IGBT 和 SiC 的摩擦几乎不简单、除了一个主要差异、IGBT 的内部栅极电阻(Rgint)为10欧姆…
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  • RE: [参考译文] UCC21710-Q1：负载和 AIN 测量突然出现电源故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Pratik、感谢您提供应用手册。 我想我们已经解决了这个问题。 以前我们使用 IGBT 作为主开关器件、在同一个逆变器硬件上、此解决方案运行良好、栅极驱动器没有问题。 但是,一旦我们切换到 SiC MOSFET(在同一硬件上),我们就开始得到所有这些问题。 IGBT 和 SiC 的摩擦几乎不简单、除了一个主要差异、IGBT 的内部栅极电阻(Rgint)为10欧姆…
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  • RE: [参考译文] UCC21710-Q1：负载和 AIN 测量突然出现电源故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Pratik、感谢您提供应用手册。 我想我们已经解决了这个问题。 以前我们使用 IGBT 作为主开关器件、在同一个逆变器硬件上、此解决方案运行良好、栅极驱动器没有问题。 但是,一旦我们切换到 SiC MOSFET(在同一硬件上),我们就开始得到所有这些问题。 IGBT 和 SiC 的摩擦几乎不简单、除了一个主要差异、IGBT 的内部栅极电阻(Rgint)为10欧姆…
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  • [参考译文] UCC21732：波形没有跟随输入脉冲信号

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21732 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1397671/ucc21732-waveform-not-follow-the-input-pulse-sign…
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  • RE: [参考译文] UCC28742：UCC28742 IC 能否在准谐振模式下工作？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mike： 我想扩大我的问题、问是否可以组合以下参考设计：TIDA-01505（从其借入变压器 T1 (WA8759-AL)、SIC MOSFET 晶体管 Q6 的管理以及双极驱动器 (Q13 和 Q16)、作为 QR 控制器、我使用 UCC28742 进行更高效的控制、从而获得 12V/4A 的输出电压？ 最终设计将使用 UCC28742 的设计计算器进行计算。 是否需要其他设置…
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  • RE: [参考译文] UCC21520：UCC21520实现

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、开尔文、 欢迎使用 e2e、感谢您提出问题。 遗憾的是、TI 不生产任何高压功率 MOSFET。 根据您的电路参数、我将查看硅 MOSFET 或 SiC MOSFET。 本文档提供有关驱动 SiC MOSFET 的信息： https://www.ti.com/lit/eb/slyy169/slyy169.pdf 如果您有其他问题、请告知我们。 此致、 Don
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  • RE: [参考译文] 拓扑选择指南

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 以我之前提到的反激式器件为例： 对于1kV 输入、您是否考虑使用 SiC MOSFET？ 如果是、TI 最近推出了 UCC28C5x 通用 PWM、这是行业标准 UCC28C4x 系列的升级版。 下文重点介绍的 UCC28C5x 控制器专为 SiC MOSFET 应用而量身定制。 此外、还 提供宽输入电压反激式 EVM、它的工作电压范围为40V<VIN<1kV。 …

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