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  • RE: [参考译文] 拓扑选择指南

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 以我之前提到的反激式器件为例： 对于1kV 输入、您是否考虑使用 SiC MOSFET？ 如果是、TI 最近推出了 UCC28C5x 通用 PWM、这是行业标准 UCC28C4x 系列的升级版。 下文重点介绍的 UCC28C5x 控制器专为 SiC MOSFET 应用而量身定制。 此外、还 提供宽输入电压反激式 EVM、它的工作电压范围为40V<VIN<1kV。 …
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  • RE: [参考译文] 拓扑选择指南

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 以我之前提到的反激式器件为例： 对于1kV 输入、您是否考虑使用 SiC MOSFET？ 如果是、TI 最近推出了 UCC28C5x 通用 PWM、这是行业标准 UCC28C4x 系列的升级版。 下文重点介绍的 UCC28C5x 控制器专为 SiC MOSFET 应用而量身定制。 此外、还 提供宽输入电压反激式 EVM、它的工作电压范围为40V<VIN<1kV。 …
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  • RE: [参考译文] 拓扑选择指南

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 以我之前提到的反激式器件为例： 对于1kV 输入、您是否考虑使用 SiC MOSFET？ 如果是、TI 最近推出了 UCC28C5x 通用 PWM、这是行业标准 UCC28C4x 系列的升级版。 下文重点介绍的 UCC28C5x 控制器专为 SiC MOSFET 应用而量身定制。 此外、还 提供宽输入电压反激式 EVM、它的工作电压范围为40V<VIN<1kV。 …
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  • RE: [参考译文] UC2843A：新一代 UC2843A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 假定、 请查看 UCC38C42系列高速 BiCMOS 电流模式 PWM 控制器 、Bill Andreycak 的应用手册。 UC2842可作为传统的 PWM 控制器使用寿命、这在许多工业、mil 和航天应用中受到青睐、在这些应用中、长期可靠性、熟悉程度、稳健性和产品鉴定有时比转换使用较新的 BiCMOS 版本更为重要。 另一方面、从 UC 转换到 UCC 可实现显著的性能优势…

  • [参考译文] UCC5870-Q1：牵引逆变器

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1473815/ucc5870-q1-traction-inverter 器件型号： UCC5870-Q1 工具与软件： 我想设计800V SiC MOSFET 牵引逆变器平台。 因此我需要上面提到的器件型号或其他等效器件型号的详细用户手册…
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  • RE: [参考译文] UCC25800-Q1：正在触发 OCP2故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Steve、您好！ 它在另一页上。 我有基于 UCC 21551的三个双路栅极驱动器同样 、所有3个 高 侧 VDDS 均使用 具有三个变压器的单个25800供电、所有3个低侧部分均来自具有单个 TRAFC 的单个25800 (没有任何问题)。 此驱动器 在另一页面上连接到基于 SiC 的 MOSFET (SCT018H65G3AG)。
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  • [参考译文] UCC5350：需要 TI 的微型芯片替代栅极驱动器

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5350L-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1498442/ucc5350-requirement-of-alternative-gate-driver…
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  • RE: [参考译文] UCC25600：在选择栅极驱动变压器时要考虑的频率。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mani： 对不起，答复太晚了。 最小开关频率为104kHz、VCC 为15V。 附上 MOSFET 数据表以供参考 G3R160MT17D 1700V 160mΩ SiC MOSFET -碳化硅 MOSFET - N 通道增强模式- GeneSiC 半导体(mouser.com) 此致 S·N·K
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  • RE: [参考译文] UCC25600：在选择栅极驱动变压器时要考虑的频率。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mani： 对不起，答复太晚了。 最小开关频率为104kHz、VCC 为15V。 附上 MOSFET 数据表以供参考 G3R160MT17D 1700V 160mΩ SiC MOSFET -碳化硅 MOSFET - N 通道增强模式- GeneSiC 半导体(mouser.com) 此致 S·N·K
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  • RE: [参考译文] UCC25600：在选择栅极驱动变压器时要考虑的频率。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mani： 对不起，答复太晚了。 最小开关频率为104kHz、VCC 为15V。 附上 MOSFET 数据表以供参考 G3R160MT17D 1700V 160mΩ SiC MOSFET -碳化硅 MOSFET - N 通道增强模式- GeneSiC 半导体(mouser.com) 此致 S·N·K

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