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  • RE: [参考译文] UCC25600：在选择栅极驱动变压器时要考虑的频率。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mani： 对不起，答复太晚了。 最小开关频率为104kHz、VCC 为15V。 附上 MOSFET 数据表以供参考 G3R160MT17D 1700V 160mΩ SiC MOSFET -碳化硅 MOSFET - N 通道增强模式- GeneSiC 半导体(mouser.com) 此致 S·N·K
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  • RE: [参考译文] UCC28C53-Q1：短路保护

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 在短路运行期间、MOSFET 和电流检测电阻中仍然存在较高的平均 RMS 功率耗散。 电流被限制为最大值并折返以保护功率级、但 SiC 必须仍然能够处理功率耗散。 另外、请注意输出短路时转换器重试启动期间的 SiC 栅极驱动幅度是多少。 如果 VGS 在稳态运行期间低于设计值、则 SiC RDS 可能会快速增加、从而导致巨大的功率耗散、即使在稳态运行期间也可能没有计划过。 也许尝试软过载条件并观察转换器的行为…
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  • [参考译文] UCC5350：器件和应用建议

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21550 , UCC5350 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1579313/ucc5350-device-and-application-recommend…
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  • RE: [参考译文] UCC28C56H-Q1：HV 启动电路问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 下面给出了两个参考： 请参阅将 SiC MOSFET 用于800V 牵引逆变器的高密度辅助电源的第3节 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1268457/ucc28c56h-q1-questions-about-ucc28c56evm…
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  • [参考译文] TL2843B：通道审核

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    Other Parts Discussed in Thread: TL2843 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1372545/tl2843b-sch-review 器件型号： TL2843B 主题中讨论的其他器件： TL2843 工具与软件…
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  • RE: [参考译文] TMS320F2800157：如何使用 F2800157提高48V PMSM 电机的 MCU 效率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 "MCU 效率"是什么意思？ 电机驱动能源转换效率？ 或别的什么东西吗？ 如果是电机驱动效率、则91%可以是正常数字。 您可以向电机 制造商询问最高效率、如果还有提升空间、可以尝试在逆变器中使用低 Rdson MOSFET、SiC 或 GaN、还可以提高电流和电压采样的分辨率。
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  • RE: [参考译文] PMP10195：LM5020MM-2

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Ramakrishna： 在理论上、可以通过两个 MOSFET 串联来使用级联拓扑、但我相信对于这种低输出功率、栅极驱动电路将产生几乎很大的损耗、因此我建议使用单个 SiC FET。 我们有一款特定的控制器 UCC28C5x、可驱动高压 SiC FET (它是知名峰值电流模式控制器的旋钮、但经过精细调节以实现更高的栅极驱动电压)。 该控制器提供一个可订购的 EVM、该…
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  • RE: [参考译文] UCC28740：适用于宽输入范围 (80–1000VDC) 辅助电源的反激式控制器建议

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、John： 是的、感谢您提供的信息。 我已经阅读了数据表第 21 页中关于高达 25W 的建议（应用信息）。 UCC28730 对于我们的设计、我们的目标是实现约 85%的效率、总体 BOM 成本是关键的考虑因素。 易于使用（例如提供设计工具，仿真模型和参考设计）也很重要。 此外、还要求与 SiC MOSFET 兼容。 考虑到这些优先事项、即效率、成本和易于实施…
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  • RE: [参考译文] UCC21550：第2部分：UCC21550不工作的半桥电路

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bright、 在我的测试中、我能够通过将 MOSFET 交换到不同的 MOSFET (在本例中为 SiC)来完全降低噪声。 大多数噪声被缓解、并且在所有测试的总线电压电平上表现一致 通过其他实验、我发现使用额外的电容器来增加栅源极电容有助于减慢开关速度并降低很多噪声。 MOSFET 栅极上的铁氧体磁珠还有助于防止噪声进入栅极驱动器、如果噪声极高、这可能会导致逻辑干扰…
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  • RE: [参考译文] UCC21750：肖特基&amp；齐纳将增加消隐时间

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Anoop、 谢谢您的支持。 UCC21750具有 DESAT 引脚。 通常、为 SiC MOSFET 设计 DESAT 电路必须小心谨慎、因为与 IGBT 相比、SiC MOSFET 的短路耐受时间非常短。 如您所见、建议使用齐纳和散粒机进行保护、而不是必需的/强制性的。 因此、如果您的环境不需要 OV/负瞬态保护、则没有它们应该没问题。 希望这对您有所帮助！ …

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