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  • UCC5350-Q1: UCC5350MC-Q1驱动SiC MOSFET

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    Part Number: UCC5350-Q1 Other Parts Discussed in Thread: UCC28070 下午好！想了解一下,用两块UCC5350MC-Q1配合UCC28070驱动 SiC MOSFET的话，1、如上2中接法都可以吗？哪种更好？2、上图中的RZ和稳压管的值怎么选择？如果希望 SiC MOSFET的截至电压为-5.1V，那么这稳压管的值选为5.1V吗？此时这芯片的GND悬空？3、我现在非隔离应用，用下图的话，那么GND1和VEE2可以直接连一起？
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  • [参考译文] UCC21710-Q1：适用于650V SiC MOSFET 的智能栅极驱动器选项

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1512957/ucc21710-q1-smart-gate-driver-options-for-650v-sic-mosfets 器件型号： UCC21710-Q1 工具/软件： 您好、 我们目前正在评估可与650V…
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  • [参考译文] UCC21710：高侧 SiC MOSFET 栅极驱动器布局指南

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491644/ucc21710-high-side-sic-mosfet-gate-driver-layout-…
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  • [参考译文] UCC21710-Q1：3300V 微芯片 SiC MOSFET 的栅极驱动器

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1484749/ucc21710-q1-gate-driver-for-3300v-microchip-sic-m…
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  • [参考译文] UCC21521：UCC21521驱动 SiC MOSFET 效率极低

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1457422/ucc21521-ucc21521-drives-sic-mosfet-highly-ineffective 器件型号： UCC21521 工具与软件： 尊敬的 TI： 我已经构建了一个原型…
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  • [参考译文] UCC28951-Q1：使用 SiC MOSFET 的 PSFB

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC28951 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1434290/ucc28951-q1-psfb-using-sic-mosfets 器件型号： UCC28951-Q…
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  • [参考译文] UCC27624DGNEVM：2开关反激式拓扑。 用于驱动 SiC MOSFET 的 UCC27624-Q1

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC27624 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1476919/ucc27624dgnevm-2-switch-flyback-topology-ucc27624…
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  • [参考译文] UCC5390-Q1：SiC MOSFET 额定值为3300V 且 IG 高于16A 时的栅极驱动器要求

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5350 , UCC5390 , UCC23525 , UCC23711 , UCC21750 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1496655/ucc5390-q1-gate…
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  • [参考译文] UCC28951-Q1：适用于 PSFB 拓扑的 SiC MOSFET VDC：950V

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC28951 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1433617/ucc28951-q1-sic-mosfets-for-psfb-topology-vdc-950…
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  • [参考译文] UCC23513：高 dv/dt 会导致 SiC MOSFET 错误导通

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC23513 , UCC23514 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1422346/ucc23513-high-dv-dt-causes-sic-mosfet-to…

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