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  • [参考译文] UCC21756-Q1：UCC21756 DESAT 辅助电路以减少阻断时间

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21756-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1401651/ucc21756-q1-ucc21756-desat-auxiliary-circuit-to…
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  • [参考译文] UCC14241-Q1：具有 UCC21756保护信号反馈接地问题的 UCC14241

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC33420 , UCC14241-Q1 , UCC21756-Q1 , TL431 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1400734/ucc14241-q1-ucc14241-with-ucc21756…
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  • [参考译文] UCC15241-Q1：隔离式栅极驱动器设计解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1390327/ucc15241-q1-isolated-gate-driver-design-solutions 器件型号： UCC15241-Q1 工具与软件： 你好 我们目前正在寻找一种能够通过一个…

  • RE: SIC Mosfet 驱动芯片问题

    thanks TRANSLATE with x English Arabic Hebrew Polish Bulgarian Hindi Portuguese Catalan Hmong Daw Romanian Chinese Simplified Hungarian Russian Chinese Traditional Indonesian Slovak Czech Italian Slovenian Danish Japanese Spani…
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  • RE: [参考译文] UCC28180：原理图审阅

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Colin 您好！ 感谢您关注 UCC28180 PFC 控制器。 对于此设计、我有几个问题： 1. 输出电压设置为385Vdc、但最大输入电压为277Vrms、峰值为392V。 为了适应这个输入峰值、我建议通过将 R47更改为12.4kR 来将 Vout 升高至~404Vdc。 2. MOV Z4 (显示为561DK14,可能是561KD14?) 位于二极管电桥 DB1的输出侧…
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  • [参考译文] UCC27614：IN-、IN+不参考 GND

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC27614 , UCC57108 , UCC57102 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1392864/ucc27614-in--in-not-referenced…

  • [参考译文] UCC21732：UCC21732

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21732 , UCC21750 , TINA-TI 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1393750/ucc21732-ucc21732 器件型号： UCC21732 …
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  • RE: [参考译文] UCC21550：第2部分：UCC21550不工作的半桥电路

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bright、 在我的测试中、我能够通过将 MOSFET 交换到不同的 MOSFET (在本例中为 SiC)来完全降低噪声。 大多数噪声被缓解、并且在所有测试的总线电压电平上表现一致 通过其他实验、我发现使用额外的电容器来增加栅源极电容有助于减慢开关速度并降低很多噪声。 MOSFET 栅极上的铁氧体磁珠还有助于防止噪声进入栅极驱动器、如果噪声极高、这可能会导致逻辑干扰…

  • RE: [参考译文] UCC28711：UCC28711：

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 以下每个问题的答案： 1.是否根据 MOSFET 的 Coss 值选择栅极驱动电路？ 如果是、我很好奇 Coss 是否有具体的标准或计算。 栅极驱动偏置功率由 P=Q*V*F 确定、栅极驱动电流由 Q=I*t 估算、栅极电荷 Q 可在 SiC 数据表中找到、i 是栅极驱动器峰值拉电流/灌电流、t 是产生的上升(或下降)时间。 Q 也等于 C*V、但我更喜欢使用 Q 而不是 Coss…
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  • RE: [参考译文] UCC21750：数字隔离器的隔离侧测量失败

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 您共享的模型似乎比我从网站下载的模型运行得更好。 然而,我仍然得到一种我无法解释和解决的行为。 如果我仅假设有一个接地(假设为 LV_GND)、并将 IC 的两侧连接到该同一个接地、则栅极驱动器似乎可以正常工作。 您可以在我所附的图片中看到这一点。 但当我尝试在模型中包含 MOSFET 和 HV 系统、并尝试将两个接地(即 IC 初级侧的 LV GND 和次级侧的…

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