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找到 679 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
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  • [参考译文] UCC14240-Q1:输出电压不正确时、UCC14240-Q1 电源正常未置位

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC14240-Q1 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1607168/ucc14240-q1-ucc14240-q1-power-good-not-asserted…
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    • 3 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] UCC28C54:从 C4x 升级到 C5x 的优势

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Kian、 问得好! SiC MOSFET 通常需要高达或超过 20V 的电压。 由于 C4x 系列的 VDD 绝对最大值为20V、因此您需要输出<20V 的外部 LDO、以确保 C4x 的输入偏置电源不超过 VDD 绝对最大值 因此、数据表第一页的表格显示 C4x SiC MOSFET 应用"无"。 C5x 系列的 VDD 绝对最大值为30V…
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • [参考译文] UCC21750:UCC21750栅极电阻计算

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1457157/ucc21750-ucc21750-gate-resistance-calculation 器件型号…
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    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] UCC28070:奇怪的噪声-输出波形上的尖峰

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Stephen: 我很抱歉、我无法提供更明确的帮助。 我刚才想的另一个想法是查看电流检测上的噪声与 PFC 开关或 LLC 开关之间是否相关。 两个频率不太可能是同步的、因此其中的一个频率(希望不同时是两者)必须是主要的噪声源。 也许可以采取 DM 或 CM 措施来抑制噪声源、而不是 LLC 输出端的噪声。 如果来自 PFC、也许可以使用跨 MOSFET 或输出二极管的…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • [参考译文] UCC28704:关于提高当前 SMPS 设计效率的指导

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1592522/ucc28704-guidance-on-improving-efficiency-of-current-smps-design 器件型号: UCC28704 我目前正在努力优化基于 TI…
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    • 4 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • [参考译文] UCC28950-Q1:改变运行频率

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1493246/ucc28950-q1-changing-operating-frequency 器件型号: UCC28950-Q1 工具与软件: Mike、您好! 我有一个工作原型 VIN : 600至975Vdc…
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    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • [参考译文] ISO5452-Q1:DESAT 引脚设计值

    admin
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    Other Parts Discussed in Thread: ISO5452-Q1 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1418119/iso5452-q1-desat-pin-design-value 器件型号: ISO5452-Q…
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    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • Answered
  • RE: [参考译文] TIDA-00917:TIDA-00917

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我还有一个与 SiC 分立 MOSFET 并联时的 DESAT 操作有关的问题。 如果我们如 TIDA-00917中所示将 两个 MOSFET 漏极连接到 DESAT 引脚(当然还有相关电路)、如果两个 SiC MOSFET 之间的电流共享不一样、那不是问题吗? 是否必须包含任何额外的电路来避免由于两者之间的电流共享不同而出现此问题、即承载更大电流的 MOSFET 将具有更大的电压…
    • 2 年多前
    • 仿真、硬件和系统设计工具(参考译文帖)
    • 仿真、硬件和系统设计工具(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] UCC14141-Q1:开关频率和 RLIM 值计算

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我得到了它、但我想为 SiC MOSFET 的栅极提供一个大的储能库、这个储能库开关的负载为1400V 30A。 Cout1 = 10µF、35V 放置在 Vdd-Vee 上、位于 Ucc14141芯片的输出引脚处。 Cout1b = 10µF、35放置在 Vdd-Vee 两端的栅极驱动器附近。 因此、Vdd-Vee 上的总电容为20µF 与两个去耦电容器0.2µF 之和…
    • 11 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] UCC28180:UCC28180

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 黄松、您好! 感谢显示原理图。 另请检查输出二极管 D22温升和反向恢复电流。 虽然这是超快器件、但其温度可能过高、并且 IRR 增加幅度可能超过 MOSFET 可处理的水平。 在100kHz 频率下、考虑在该位置使用 SiC 二极管。 除此之外、还要检查栅极驱动二极管 D23是否可以处理流经它的峰值关断电流。 虽然如果发生短路或开路故障、我看不出它会如何导致 MOSFET…
    • 1 年多前
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