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  • RE: [参考译文] UCC21520：采用 SiC 的三相全桥应用上发生短路。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 除了与 RDT 并联的最小数据表建议2.2nF 外、今天的死区时间似乎没有问题(我将修复)。 根据测试结果、看起来不是由于米勒电容电荷而发生短路、我们使用负电压来保持 SiC 关断。 该器件好像是从2016年开始使用的、设计为与 SiC MOSFET 配合使用？

  • RE: [参考译文] UCC21520：采用 SiC 的三相全桥应用上发生短路。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 除了与 RDT 并联的最小数据表建议2.2nF 外、今天的死区时间似乎没有问题(我将修复)。 根据测试结果、看起来不是由于米勒电容电荷而发生短路、我们使用负电压来保持 SiC 关断。 该器件好像是从2016年开始使用的、设计为与 SiC MOSFET 配合使用？

  • RE: [参考译文] UCC21520：采用 SiC 的三相全桥应用上发生短路。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 除了与 RDT 并联的最小数据表建议2.2nF 外、今天的死区时间似乎没有问题(我将修复)。 根据测试结果、看起来不是由于米勒电容电荷而发生短路、我们使用负电压来保持 SiC 关断。 该器件好像是从2016年开始使用的、设计为与 SiC MOSFET 配合使用？

  • RE: [参考译文] UCC21520：采用 SiC 的三相全桥应用上发生短路。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 除了与 RDT 并联的最小数据表建议2.2nF 外、今天的死区时间似乎没有问题(我将修复)。 根据测试结果、看起来不是由于米勒电容电荷而发生短路、我们使用负电压来保持 SiC 关断。 该器件好像是从2016年开始使用的、设计为与 SiC MOSFET 配合使用？
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  • RE: [参考译文] 用于双开关反激式1000V 输入的控制器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 1.是否有可直接用于双开关拓扑的反激式控制器 IC？ 不需要、但双开关拓扑的动机是减少每个初级 MOSFET 上的 VDS。 您能否使用 SiC MOSFET 和考虑使用单个低侧高电压开关？ 如果考虑这一点、TI 改进了 UCC28C4x 系列的 GP PWM、以包含 UCC28C5x-Q1 、后者包含了专用于 SiC 反激式拓扑的改进。 2. 如果使用 UCC28740-Q1等单开关反激式控制器…
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  • RE: [参考译文] 用于双开关反激式1000V 输入的控制器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 1.是否有可直接用于双开关拓扑的反激式控制器 IC？ 不需要、但双开关拓扑的动机是减少每个初级 MOSFET 上的 VDS。 您能否使用 SiC MOSFET 和考虑使用单个低侧高电压开关？ 如果考虑这一点、TI 改进了 UCC28C4x 系列的 GP PWM、以包含 UCC28C5x-Q1 、后者包含了专用于 SiC 反激式拓扑的改进。 2. 如果使用 UCC28740-Q1等单开关反激式控制器…
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  • RE: [参考译文] 用于双开关反激式1000V 输入的控制器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 1.是否有可直接用于双开关拓扑的反激式控制器 IC？ 不需要、但双开关拓扑的动机是减少每个初级 MOSFET 上的 VDS。 您能否使用 SiC MOSFET 和考虑使用单个低侧高电压开关？ 如果考虑这一点、TI 改进了 UCC28C4x 系列的 GP PWM、以包含 UCC28C5x-Q1 、后者包含了专用于 SiC 反激式拓扑的改进。 2. 如果使用 UCC28740-Q1等单开关反激式控制器…
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  • RE: [参考译文] 用于双开关反激式1000V 输入的控制器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 1.是否有可直接用于双开关拓扑的反激式控制器 IC？ 不需要、但双开关拓扑的动机是减少每个初级 MOSFET 上的 VDS。 您能否使用 SiC MOSFET 和考虑使用单个低侧高电压开关？ 如果考虑这一点、TI 改进了 UCC28C4x 系列的 GP PWM、以包含 UCC28C5x-Q1 、后者包含了专用于 SiC 反激式拓扑的改进。 2. 如果使用 UCC28740-Q1等单开关反激式控制器…
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  • RE: [参考译文] UCC28C50-Q1：斜升补偿网络

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Yajush： 感谢您的耐心等待。 在数据表中 、他们从初级侧获取反馈、我想从次级侧获取 有关参考、请参阅 UCC28C50 的非 Q 版本数据表 。 在这里、典型应用部分中使用的电路不是 PSR 反激式。 隔离式输出的电压反馈是使用次级侧误差放大器和 TL431 实现的。 误差信号使用光隔离器穿过初级到次级隔离边界、该光隔离器的发射极连接到 FB 引脚。 对于软启动…

  • UCC23525: 碳化硅驱动IC

    TI 认为已经解决
    Part Number: UCC23525 Other Parts Discussed in Thread: UCC28070 , , SN6501 , TL431 想咨询一下： 想用UCC28070+UCC23525驱动碳化硅，外围元件选择和PCB布线有什么要注意的？2KW（AC85-265输入）的PFC，碳化硅选择有什么要求？UCC23525可以驱动吗？UCC23525驱动能产生负压吗？规格书只有IGBT的应用，没看到 SiC MOSFET的应用 TRANSLATE with x …

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