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找到 679 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
  • [参考译文] UCC21750:UCC21750 是否可用于驱动 CoolMOS™︎ Ω 超结 MOSFET?

    admin
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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21330 , UCC21550 , UCC21750 , UCC23525 , UCC5350 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1542724/ucc21750-can…
    • 9 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] UCC21750:关于 MOSFET 并联驱动的咨询。

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 要使用的 sic MOSFET 的 Qg 为288nC。 如果两个电容器并联使用、则 IVDD 如下所示。 IVDD =(Qg1+Qg2)*Fsw。 =(288nC+288nC)*100kh = 57.6mA 我是否正确计算了它? 如果此值小于数据表中的值、是否可用? 谢谢
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • [参考译文] ISOTMP35:有关应用的信息

    admin
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    Other Parts Discussed in Thread: ISOTMP35 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1444081/isotmp35-information-on-application 器件型号: ISOTMP35 工具与软件: 大家好! 我是在 一个概念设计的驱动的过程…
    • 已回答
    • 1 年多前
    • 传感器(参考译文帖)
    • 传感器(参考译文帖)(Read Only)
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  • [参考译文] UCC21750:关于 UCC21750 PSpice 模型与 IS05852SDWR

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    Other Parts Discussed in Thread: TIDA-01606 , UCC21530 , UCC21750 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1040411/ucc21750-regarding-ucc21750…
    • 已回答
    • 4 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] UCC21750-Q1:Sort Circuit Test

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kaushik: 类似这样的谐振通常与充当共漏极放大器的高侧 MOSFET 的反馈有关、因为它在经过其饱和区域的过程中到达 RDSon 区域。 您可以尝试通过栅极上的铁氧体磁珠打破该频率下的反馈环路、从而在谐振频率下更大限度地提高阻抗。 更持久的解决方案是消除 LC 开关节点振铃。 您可以改进 HV 去耦、从而尝试降低高侧漏极电感、并且可能存在来自本地电容器的此谐振频率下的串联…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] UCC5350:UCC5350输出未拉至接近 VCC2

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Don、 目前、R2的值为1欧姆、因为我没有使用任何负载驱动它。 它旨在为我驱动 SIC MOSFET、但我必须确保在使用它驱动 SIC MOSFET 之前在输出端获得正确的电压。 即使 R2短路、它现在也会将 VCC2拉至3.2V。 此致、
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] UCC21750-Q1:UCC21750QDWRQ1 具有电流缓冲器/放大器 IXD_630 的软关断

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 非常感谢 Sean、感谢 您对我们方法的快速支持和有用见解 以下是更多详细信息: 电源模块部件号: CAB6R0A23GM4T,来自 WOLF SPEED 的 SiC MOSFET 电源模块,2300V,200A,6m Ω 驱动电流要求 ( I source/sink @Rg =0) 为 14.6A 因此、根据工程要求、我们将搜索具有内置安全功能且不具有 SPI 通信功能的 15A…
    • 7 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] BQ25730:降压/升压电池充电器 IC 要求

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我已找到 BQ25770G 降压/升压电池充电器 IC。 我能否将 GaN HEMT 替换为 Si 或 SiC MOSFET。 在该 默认充电曲线中、 BQ25770G 提供了锂离子电池(涓流、预充电、CC、CV)。 我认为 BQ25730和 BQ25731都不提供默认充电曲线锂离子电池(涓流、预充电、CC、CV)。 请您确认。
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: [参考译文] UCC21750:栅极驱动器#39;s 输出缺失

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Raju: 感谢您在 E2E 上发帖。 根据波形、在栅极驱动器输出电压下降之前、SiC MOSFET 已经处于导通状态。 由于要驱动的 SiC MOSFET 在栅极电压下降之前已经处于稳定状态、我认为问题可能来自其他频率为1kHz 的系统噪声、该频率会影响栅极驱动器输入。 您能否分享栅极驱动器电路的原理图和布局? 我主要对 IN+、IN-和 RST 引脚感兴趣…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • [参考译文] UCC5304:双电源

    admin
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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5304 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1492311/ucc5304-dual-power-supply 器件型号: UCC5304 工具与软件: 尊敬的专家…
    • 已回答
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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