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  • RE: [参考译文] UCC24624：电源管理论坛

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Raju、 对于您的问题1、您可以参阅随附的应用手册图10。 UCC24624可以使用相同的方法。 由于 SIC MOSFET 需要在栅极引脚上具有15-18V 的恒定电压、因此最好在 UCC24624和 SIC MOSFET 之间添加一个 SiC MOSFET 驱动器 e2e.ti.com/.../ucc24612-extension.pdf。 通过这种方式、可编程栅极驱动逻辑损耗…
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  • RE: [参考译文] UCC21750：UCC21750 -有源钳位

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Han： IGBT 的开关速度通常已经足够慢、以避免 VCE 过冲。 MOSFET 和 SiC FET 等开关速度更快的器件更常需要此电路。 该电路依赖于集电极和栅极之间的齐纳二极管。 很难找到一个额定电压与试图保护的 IGBT 一样高的齐纳 TVS 二极管。 这将防止您使用 IGBT 的整个高压范围。 如果目标是在过压情况下将所有功率消耗到0V、则可以改用 SCR…
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  • [参考译文] UCC21732：全桥逆变器

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21732 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1413852/ucc21732-full-bridge-inverter 器件型号： UCC21732 工具与软件：…
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  • [参考译文] UCC21737-Q1：UCC21737QDWRQ1

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1298116/ucc21737-q1-ucc21737qdwrq1 器件型号： UCC21737-Q1 您好！ UCC21737QDWRQ1此栅极驱动器是否支持正常 SI MOSFET？ 数据表中提到它支持…
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  • [参考译文] UCC21737-Q1：UCC21737QDWRQ1

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1298116/ucc21737-q1-ucc21737qdwrq1 器件型号： UCC21737-Q1 您好！ UCC21737QDWRQ1此栅极驱动器是否支持正常 SI MOSFET？ 数据表中提到它支持…
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  • [参考译文] UCC21737-Q1：UCC21737QDWRQ1

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1298116/ucc21737-q1-ucc21737qdwrq1 器件型号： UCC21737-Q1 您好！ UCC21737QDWRQ1此栅极驱动器是否支持正常 SI MOSFET？ 数据表中提到它支持…
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  • RE: [参考译文] TPSI31P1-Q1：外设电路设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Jade、 感谢您对我们团队的支持和帮助。 在我们的实验室测试中、我们没有开关引起的电压尖峰问题。 我在实验室中测得的最大输入纹波为 20V、但可能是由于谐振、因为我们的输入电容器没有针对 ESL 进行优化。 如果最大工作电压为 1000V、我认为可以承受 1200V 的电压。 为了提供建议、您能否分享客户的预充电要求（电压，电容，时间）？ 我们通常使用 SiC…
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  • RE: [参考译文] LMG3522EVM-042：LMG3522

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好 Subhransu、 感谢您提出 LMG3650EVM-113建议。 恐怕我们无法围绕预发布状态的器件进行设计。 您是否知道何时提供这些服务？ LMG3650R025器件？ 此时、我们考虑不再使用 GaN MOSFET。 尽管与 Si MOSFET 相比速度非常快且性能要好得多 但其复杂性使其难以使用。 我们想探索并联 SiC MOSFET 或 IGBT…
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  • [参考译文] UCC21755-Q1：栅极驱动电源问题

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21755-Q1 , UCC21710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1227766/ucc21755-q1-gate-drive-power-problem …
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  • RE: [参考译文] UCC28220：我是否可以使用 UCC28220来实现交错 DC-DC 降压

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 周老师、您好！ 谢谢,这篇论文是非常有用的。 我将在高侧和低侧使用栅极驱动器来驱动 SIC MOSFET。 例如使用电感器而非变压器的同步降压转换器。 此致、 Ikenna,

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