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  • RE: TIDA-01605: A little confused about the Two-Level Turnoff Protection

    您好， 公式15算的是G2到-4Vb之间的电压， Figures 7 and 8 底部曲线是 SiC MOSFET的gate-to-source 之间电压，参考点不一样 我理解的是这里的 5.5 V电压应该是根据R22 and C36延迟时间估算的吧，也就是说第一级关断保护后R22C36延迟时间常数后，就会启动第二级关断保护 这里的 gate volatage应该指SiC MOSFET的

  • RE: UCC23513: 光耦型隔离驱动与普通单通道隔离驱动器的区别和应用场景？

    UCC23513 驱动器 是适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器。 光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器与单纯的光耦在功能和应用上存在一些显著的差异。以下是对两者区别的详细分析： 功能定义： 光耦（Optical Coupler），又称为光耦合器，是一种利用光作为媒介传输电信号的器件。它通常包含一个发光器（如红外线发光二极管LED）和一个受光器（如光敏半导体管或光敏电阻），封装在同一个管壳内。当输入端加电信号时，发光器发出光线，受光器接收光线后产生电流…
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  • [参考译文] UCC5871-Q1：外部 MOSFET 的 VDS 过压

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5871-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1272542/ucc5871-q1-over-voltage-on-vds-of-external-mosf…
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  • [参考译文] UCC5871-Q1：外部 MOSFET 的 VDS 过压

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5871-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1272542/ucc5871-q1-over-voltage-on-vds-of-external-mosf…
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  • [参考译文] UCC5871-Q1：外部 MOSFET 的 VDS 过压

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5871-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1272542/ucc5871-q1-over-voltage-on-vds-of-external-mosf…
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  • [参考译文] UCC5871-Q1：外部 MOSFET 的 VDS 过压

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5871-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1272542/ucc5871-q1-over-voltage-on-vds-of-external-mosf…
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  • RE: [参考译文] TIDA-010210：哪些组件决定了可管理的电源？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Riccardo、 感谢您的详细回答。 我收到了客户的反馈。 请参阅下面的内容。 "很清楚、我仍然要问的问题是如何选择 SiC MOSFET？ 我不认为选择更强大的 SiC 是最佳解决方案、如果 TI.com 上有的话、您能推荐一些理论文章。" 感谢您的建议帮助。 此致、 Marvin
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  • [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：查询此驱动器板与 SiC 电源模块的集成情况

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    Other Parts Discussed in Thread: ISO5852SDWEVM-017 , UCC21750 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/973553/iso5852sdwevm-017-query-on-integration…

  • [参考译文] UCC21732：UCC21732

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21732 , UCC21750 , TINA-TI 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1393750/ucc21732-ucc21732 器件型号： UCC21732 …
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  • RE: [参考译文] UCC21750：DESAT/过流保护

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Pratik、您好！ 感谢您的快速响应！ 因此、如果我们在没有 SenseFET 的情况下使用常规 SiC MOSFET、那么我们肯定需要在源极上使用分流电阻器来使用 DESAT 功能。 这是否公平？ 此致、 欧内斯特

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