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  • [参考译文] 1700V MOSFET 参考设计

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1175780/1700v-mosfet-reference-design 大家好、团队、 是否有任何基准电路可感测1700V SiC MOSFET 的占空比。 或任何具有漏源电压(VDS)脉冲占空比感应电路(SENSE Ton 和 Toff…
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  • RE: [参考译文] UCC21739-Q1：2级关断不能正常工作

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Nancy、 鉴于栅极波形上没有米勒平坦区、我们怀疑这是使用 SIC MOSFET 进行的测试。 如果您确实需要使用 IGBT 进行任何测试、那么看到波形会很棒。 此致、 安迪
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  • RE: [参考译文] LM5023：双开关反激式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 德克萨斯州 双开关反激式拓扑不那么常用、这就是您在 Webench 中看不到它的原因。 您可以使用 TI Power Stage Designer 分析2开关反激式功率级 。 对于任何单开关 DCM 或 CCM 反激式、小信号分析都是相同的。 您可以使用任何离线反激式 PWM 或通用 PWM 控制器来控制双开关反激式功率级。 唯一的问题是根据 PWM 信号开发高侧栅极驱动、但高侧和低侧栅极驱动之间的时序并不重要…
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  • RE: [参考译文] LM5023：双开关反激式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 德克萨斯州 双开关反激式拓扑不那么常用、这就是您在 Webench 中看不到它的原因。 您可以使用 TI Power Stage Designer 分析2开关反激式功率级 。 对于任何单开关 DCM 或 CCM 反激式、小信号分析都是相同的。 您可以使用任何离线反激式 PWM 或通用 PWM 控制器来控制双开关反激式功率级。 唯一的问题是根据 PWM 信号开发高侧栅极驱动、但高侧和低侧栅极驱动之间的时序并不重要…
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  • RE: [参考译文] LM5023：双开关反激式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 德克萨斯州 双开关反激式拓扑不那么常用、这就是您在 Webench 中看不到它的原因。 您可以使用 TI Power Stage Designer 分析2开关反激式功率级 。 对于任何单开关 DCM 或 CCM 反激式、小信号分析都是相同的。 您可以使用任何离线反激式 PWM 或通用 PWM 控制器来控制双开关反激式功率级。 唯一的问题是根据 PWM 信号开发高侧栅极驱动、但高侧和低侧栅极驱动之间的时序并不重要…
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  • RE: [参考译文] UCC28951：设计1kW 电源指南、步骤1：使用变压器栅极驱动器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 请查看我的评论如下。 1.选择匀场电感器时、Excel 中该值为13.62uH。 是否应该保持与上述 两个中心抽头次级绕组 设计相同的值？ > Excel 工作表将计算 Ls 以实现低至50%负载的 ZVS。 2.同时为了在整个负载范围内保持 ZVS、电感应该符合 Excel 规范、还是需要增加或减小？ >如果您希望将 ZVS 降低到较低的功率级别，请…
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  • RE: [参考译文] UCC28070：PFC 无桥电路的电流路径

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Kaji、您好！ 感谢您关注 UCC28070无桥解决方案。 我看到您已经 为 使用 UCC28070的无桥测试创建了另一个帖子。 对于您的问题1、它不完全正确。 一旦 UCC28070中的 MOSFET 充当返回路径、RMS 电流仍然可以流过 MOSFET、因为在这种情况下、返回的 MOSFET 无法检测 CSA 或 CSB 信号，、因此该相位的电流环路在控制器输出 Dmax…

  • [参考译文] UCC21759-Q1：使用 IGBT 栅极驱动器 IC&#39驱动 MOSFET

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21759-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1082709/ucc21759-q1-using-igbt-gate-driver-ic-s-to-drive…
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  • RE: [参考译文] UC2844：与 SiCFET 兼容的反激式控制器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Howard、 TI 列出 了44个特定于反激 式的控制器。 UC2844是一款通用 PWM、它肯定可用于通用反激式、并且 PWM 输出根据 VCC 被调节。 VCC 可能高达36V、因此在 VCC=18V 下运行将为 SiC 提供+18V 栅极驱动。 由于许多 SiC 应用在关断期间需要-VEE、因此是否可以在0V 至+VCC 范围内运行 SiC？ 此外、虽然这是一种低成本方法…
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  • RE: [参考译文] UCC28C56H-Q1：有关 UCC28C56EVM-066的问题、(doc bumber sluucn1c)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Bobo 1.Q1、Q2形成 VDD 的高压启动、但齐纳二极管 D5到 Q2的栅极不能断裂而产生25V 的电压。 D5的电流路径是什么？ D5功能是防止 Q2的栅极超过22V。 Q1和 Q2不是正常开关 MOSFET、而是耗尽模式 MOSFET。 这意味着当其 Vgs 电压达到负值阈值(在本例中约为-1V)时、它们将充当电流源。 启动开始时、D5将关闭、流经 R5的电流将由…

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