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明白了、我将假定功率级已经过验证、但对于 SiC、300V 是低电压。 您需要驱动高侧开关、这是使用栅极驱动变压器和电平位移浮动栅极驱动器 IC 解决的第一个问题。 您还需要克服其他有关驱动 SiC 的问题。 驱动 SiC MOSFET 需要高电压栅极驱动(15V-20V)和控制器的兼容 UVLO、或者通过某种方法来保持开关状态、直到 VGS 达到 SiC 可接受的振幅…