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找到 682 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • RE: 硬开关半桥设计参考

    关于半桥拓扑产品，有数百款之多，满足从低压到高压；从低频到高频；从普通到EMI特别优化；从小功率到中大功率；从适合三极管比例驱动到MOSFEt；再到GaN/SiC MOSFET专用。。。 请说明详细要求。

  • RE: [参考译文] UCC5390：栅极驱动器#39；s 输出被钳位在+VCC2上

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Don、 感谢你的答复。 我尝试以25kW 的功率开关两个 SiC MOSFET。 MOSFET 的型号为 C2M0080120D ( http://www.farnell.com/datasheets/2047787.pdf )和 C3M0065090D ( https://docs.rs-online.com/3a4d/0900766b8149fd4d.pdf )。 它们应该能够以几百…
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  • RE: [参考译文] UC3842：斜坡补偿&amp；UC3842上出现异常行为

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我移除了所有补偿、手动将 COMP 引脚连接至可变电压源、以便根据峰值电流复制软启动。 同样、使用 UC3845、我能够按照预期调整占空比、 使用 UC3843、就在启动后、它会继续每隔一个脉冲就跳过一次。 我在犹豫为什么 IF 这样的行为! 特写： 在关断时和开/关时似乎会有很大的反向电流、这似乎与网络周期上没有出现。 我们只能想象这是因为电感器上的电流尚未下降到零…
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  • RE: [参考译文] UC3842：斜坡补偿&amp；UC3842上出现异常行为

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我移除了所有补偿、手动将 COMP 引脚连接至可变电压源、以便根据峰值电流复制软启动。 同样、使用 UC3845、我能够按照预期调整占空比、 使用 UC3843、就在启动后、它会继续每隔一个脉冲就跳过一次。 我在犹豫为什么 IF 这样的行为! 特写： 在关断时和开/关时似乎会有很大的反向电流、这似乎与网络周期上没有出现。 我们只能想象这是因为电感器上的电流尚未下降到零…
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  • RE: [参考译文] UC3842：斜坡补偿&amp；UC3842上出现异常行为

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我移除了所有补偿、手动将 COMP 引脚连接至可变电压源、以便根据峰值电流复制软启动。 同样、使用 UC3845、我能够按照预期调整占空比、 使用 UC3843、就在启动后、它会继续每隔一个脉冲就跳过一次。 我在犹豫为什么 IF 这样的行为! 特写： 在关断时和开/关时似乎会有很大的反向电流、这似乎与网络周期上没有出现。 我们只能想象这是因为电感器上的电流尚未下降到零…
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  • RE: [参考译文] UC3842：斜坡补偿&amp；UC3842上出现异常行为

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我移除了所有补偿、手动将 COMP 引脚连接至可变电压源、以便根据峰值电流复制软启动。 同样、使用 UC3845、我能够按照预期调整占空比、 使用 UC3843、就在启动后、它会继续每隔一个脉冲就跳过一次。 我在犹豫为什么 IF 这样的行为! 特写： 在关断时和开/关时似乎会有很大的反向电流、这似乎与网络周期上没有出现。 我们只能想象这是因为电感器上的电流尚未下降到零…
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  • RE: [参考译文] UC3842：斜坡补偿&amp；UC3842上出现异常行为

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我移除了所有补偿、手动将 COMP 引脚连接至可变电压源、以便根据峰值电流复制软启动。 同样、使用 UC3845、我能够按照预期调整占空比、 使用 UC3843、就在启动后、它会继续每隔一个脉冲就跳过一次。 我在犹豫为什么 IF 这样的行为! 特写： 在关断时和开/关时似乎会有很大的反向电流、这似乎与网络周期上没有出现。 我们只能想象这是因为电感器上的电流尚未下降到零…
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  • [参考译文] ISO5852S：具有不同源极电势的多个 MOSFET 的电源

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    Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S , UCC14240-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1120143/iso5852s-power-supply-for-multiple-mosfets…
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  • RE: [参考译文] BQ76952：使用 BQ 器件驱动 SiC 或 GaN FET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Harry、 我们尚未使用 SiC/GaN FET 测试我们的器件、因此我们无法说明它们在电池 AFE 中的行为。 对于我们的器件、需要注意的是、它考虑了传统 MOSFET 的体二极管。 由于我对 GaN FET 的理解有限、因此它们没有体二极管。 大多数 BMS 都使用体二极管以发挥其优势(例如、如果电池过度充电、一个 FET 将导通、另一个 FET 关断。 您仍然可以通过关断…

  • [参考译文] 隔离式栅极驱动器

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21530 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1177132/isolated-gate-driver 主题中讨论的其他器件： UCC21530 大家好、团队、 我们正在寻找具有内置 DESAT 感应电路并具有以下规格的隔离式栅极驱动器…

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