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  • RE: [参考译文] UCC14141-Q1：一个 UCC1414为三栅极驱动器供电、从而为逆变器的低侧供电。 当电力电子设备开始发生开关变化时、电压会下降。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您曾提到将电子表格 x3中的电容值相乘、但功耗如何？ 1.47W (很难读取图像？) 单个栅极驱动器的功率、我还需要乘以3倍？ 您嵌入了 UCC14141原理图(可能作为复制/粘贴形式)、但我无法阅读。 我可以看到 RLIM 和 C_VDD-RLIM 上的红色标记 VEE、看起来您标记了150Ω-这是正确的吗？ 如果是、则150Ω 对于单个 RLIM 的值太小。 尝试将 RLIM…
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  • [参考译文] UCC21710-Q1：电子回路密封器

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1173349/ucc21710-q1-electronic-circuit-brealer 器件型号： UCC21710…
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  • RE: [参考译文] TIDA-010210：功率限制

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Ahmed： 目前、由于电感器的大小为10A、电流不能增加。如果电流被推高、电感器将饱和。 我指的是设计中存在的480uH 电感器。 子板参考： DC1是基于 SiC 级联 JFET 技术的子板 DC2是基于 GaN 的子板 DC3是基于 Si MOSFET 的子板 由于开关频率较高、因此 Si MOSFET 子板将不适用(100kHz)。 基于 Si MOSFET…
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  • RE: [参考译文] UCC21750：应用问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Francis： 查找有关以下问题的评论： Unknown 说： 一致性测试报告(Monte Carlo)、包括传播延迟、驱动器上升/下降时间、电流共享应用(2个 UCC21750驱动器并联2个 SiC MOS) 数据表中提供的最小和最大规格考虑了 Monte Carlo 仿真和实际器件数据。 客户应使用这些值来评估其应用中 UCC21750的使用情况。 此外、我想指出的是…
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  • [参考译文] UCC21756-Q1：UCC21756 DESAT 辅助电路以减少阻断时间

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21756-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1401651/ucc21756-q1-ucc21756-desat-auxiliary-circuit-to…
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  • RE: [参考译文] TIDA-010210：功率限制

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我们从未测试过以下运行条件：30kV/us 和更高的电流。 根据我的计算结果、当开关速度降低时、GaN 的标称电流将从16A 降至12.5A。 这两个条件应具有相同的损耗。 仅供您参考、我们在 SiC 子板中实现了级联 JFET。 使用此器件、由于其具有内部 Si MOSFET、因此无法很轻松地控制开关速度。 从散热角度来看、SiC 桥臂应能够耐受16A 的热电流…

  • RE: 使用UC3854B配置700WPFC

    建议频率降到50k左右。MOSFET并不适合这种频率。或者用SiC FET做主开关。
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  • [参考译文] UCC5390SCDEVM-010：UCC5390SCDEVM-010

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5390 , UCC21520 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1185419/ucc5390scdevm-010-ucc5390scdevm-010 器件型号：…
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  • [参考译文] UCC14241-Q1：[紧急]适用于 SiC 栅极驱动电源且带有 UCC21710的 UCC14241 -电容器元件设计混淆

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1455024/ucc14241-q1-urgent-ucc14241-with-ucc21710-for-sic…
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  • RE: [参考译文] UCC20520：UCC20520

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Zsolt、 感谢您的发帖！ 您可以在以下 网站中查看一些 SiC 功率 MOSFET 、它们在其中提供了一些低电流、高电压 SiC MOSFET。 例如、器件 C2M1000170D 的额定电压为1700V、5A。 栅极电荷很低、因此您不需要太多的驱动强度。 对于驱动器、TI 的 ISO5852S 或 ISO5452是一个不错的选择、因为它具有分离输出、非常适合驱动 SiC…

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