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找到 682 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • RE: [参考译文] UCC21710-Q1：具有开尔文引脚和分流电阻器的 UCC217x 栅极驱动器芯片中的过流检测

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 南锡 我们没有使用检测 FET、我们在 TO-247封装中使用了 SiC FET。 现在已逐渐明白、在功率较高的 SiC MOSFET 中、它们仅采用4引脚封装、我很惊讶 TI 没有推出支持过流检测的栅极驱动芯片。 我是否在寻找错误的解决方案、而不应在栅极驱动级别实现这一点？ 也许应该在 MCU 级别执行此操作？ 我注意到、较新的 MCU 芯片、如 C2000 F2806x…
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  • [参考译文] UCC21710：如何使用 UCC21710的 OC 引脚实现 DESAT 保护？

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 , UCC21710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1024666/ucc21710-how-to-use-oc-pin-of-ucc21710-for…

  • [参考译文] UCC21710：IC 电源电压负载

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1063244/ucc21710-ic-supply-voltage-loading 器件型号： UCC21710 转换器的原理图如下面所示…
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  • RE: [参考译文] UC3854：驱动 C3M0065090D MOSFET

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jejomar、 C3M0065090D 是一款 SiC MOSFET、建议使用负电压关断。 我建议您使用正常的 Si MOSFET。 此致、 Teng
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  • [参考译文] UCC21750：使用两个21750栅极驱动器驱动高侧和低侧 MOSFET 时的 PSPISE 收敛问题

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 , UCC5350 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1238501/ucc21750-pspise-convergence-issue-when-using…
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  • [参考译文] TL431-Q1：C1电容器计算和选择

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TL431 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1127996/tl431-q1-c1-capacitor-calculation-and-selection 器件型号：…

  • 关于ISO5852s这块芯片的问题

    Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S 现在先要驱动驱动电压为+20V/-5V的SiC MOSFET，其中ISO5852s中的VCC2和VEE2的电压能不能通过DSP的模拟量输出给呢？

  • RE: [参考译文] UCC23511：适用于48V-350A 和80V-300A 电机驱动器的栅极驱动器建议

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Egemen： 我在这些应用中使用了非隔离式半桥(例如 UCC27712)、低侧的每个并联 FET 都有一个低侧缓冲器、每个并联高侧 FET 都有 PNP 关断缓冲器。 在高侧导通时、我使用了自举电源和一个电阻器连接到每个并联 FET。 但是、我不需要功能安全。 如果您想使用隔离式栅极驱动器、此类低 Rdson Si MOSFET 具有大量米勒电容、因此使用具有米勒钳位的器件…

  • [参考译文] TIDA-01604：有关交流电压零噪声的问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1105275/tida-01604-question-about-ac-voltage…
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  • RE: [参考译文] 直流/直流高压(100V 至120V)转低压(15V 至30V)设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Vairavan、 您可以使用具有高电压 MOSFET 的反激式转换器、这里是一个参考电路供您参考。 其中 SiC MOSFET 可替换为其他常见的硅 MOSFET。 https://www.wolfspeed.com/media/wysiwyg/15W_Flyback_Demo_Summary_May_2018.pdf 此致、 Teng

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