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  • RE: [参考译文] UCC5870-Q1：这些器件可以使用哪些类型的 MOSFET。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Vladimir、 该 IC 旨在驱动高栅极电荷 FET、包括 IGBT/SiC/Si MOSFET。 根据 FET d/s、169nC @ Vgs = 10V、假设您的应用需要在驱动器 IC 上添加保护功能、则使用 IC 应该是可以的。 此致、 -Mamadou
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  • RE: [参考译文] UCC21750-Q1：开关单元和栅极驱动器背靠背放置在 PCB 上

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Dimitri、 感谢您的回答。 我想澄清我的问题。 是否可以将 SiC MOSFET (TO-247)置于栅极驱动器下方(放置 PCB 的另一侧、以便放置栅极驱动器顶部和 PCB 底部)。 此致。 谢谢。
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  • RE: [参考译文] PMP10833：我能否针对14V/6A 输出修改此设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 ：Sheng-Yang Yu、 我可以在数据表中看到 、IPP320N20N3和 C3M0030090K 的 Qrr 几乎相似(~500nC)。 反向恢复时间是否是问题所在？ 因为我可以看到、SiC FET 的 TRR 仅是 IPP320N20N3的一半。 由于 SiC FET 的价格略高、因此我们能否通过放置一个 TRR 较低且与 MOSFET 并联的并联二极管来消除此问题…
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  • RE: [参考译文] UCC5320：如何使用UCC5320驱动SiC？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 驱动SiC MOSFET时，首选负电压偏置和Miller钳位。 原因如下： 当SiC MOSFET关闭时，Miller电容器消耗的电流会导致内部和外部栅极电阻的相对高电压降，从而引发电压峰值。 如果电压峰值高于MOSFET阈值电压，则会发生错误触发。 SiC MOSFET的阈值电压通常较低，dv/dt比Si IGBT高，因此SiC MOSFET首选有源Miller钳位。 负电压偏压也有助于使栅极电压保持在关闭状态下低于阈值电压…
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  • [参考译文] TIDA-00917：计算 CM 电感值

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    Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00917 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum…
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  • RE: [参考译文] ISO5452-Q1：ISO5452是否支持 SiC

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、韦恩/北京、 感谢您的提问。 [引用用户="Wayne Liu (北京)"] ISO5452 是否支持 SiC？ [/报价] 是的、ISO5452S 可以驱动 SiC MOSFET。 [引用用户="Wayne Liu (Beijing)"]驱动 SiC 是否需要任何特殊功能？ 与简单/基本的栅极驱动器相比、SiC (和 IGBT)驱动器确实需要"特殊功能"来安全地驱动它们…
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  • [参考译文] UCC21710-Q1：在 PSpice for TI 中仿真 GateDriver 时出现收敛问题

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 , UCC21732 , UCC21710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1282719/ucc21710-q1-convergence-problem…
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  • [参考译文] UCC21710-Q1：在 PSpice for TI 中仿真 GateDriver 时出现收敛问题

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 , UCC21732 , UCC21710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1282719/ucc21710-q1-convergence-problem…
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  • [参考译文] UCC21710-Q1：在 PSpice for TI 中仿真 GateDriver 时出现收敛问题

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 , UCC21732 , UCC21710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1282719/ucc21710-q1-convergence-problem…

  • RE: [参考译文] TIDA-01606：通过禁用传感器反馈来验证 PWM 信号、从而运行 TIDA-01606软件

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ PWM 信号可在没有 高压直流和交流输入的示波器上进行验证。 调试代码后、请将 TINV_clearPwmTrip 变量设置为1、您应该能够通过探测 SiC MOSFET (+19/-5V)和 IGBT (13/-5V)来查看栅极信号。 谢谢你

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