搜索提示
找到 682 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • [参考译文] TMS320F28379D：较高电压下的断开问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1375273/tms320f28379d-disconnection-issue-at-higher-voltages 器件型号： TMS320F28379D 工具与软件…
    • Answered

  • RE: [参考译文] UCC21750：DESAT 检测阈值和电容器充电电流值的变化。

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 感谢您在 E2E 上发帖。 数据表中提供的容差考虑了器件间和温度变化。 换言之、最小值和最大值是各自温度下的最坏情况。 对于预期结温为50C 的应用、我建议使用典型值进行计算。 我还想指出的是、除了这些值的容差外、您的系统本身的设计将对全部短路瞬态(过流幅度、di/dt、导致的过压、dV/dt 等)产生巨大影响。 和检测时间。 因此、必须使用数据表中提供的公式来计算…
    • Answered

  • RE: [参考译文] UCC21710-Q1：晶体管连接

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Dimitri、 我的一位客户计划使用 UCC21710-Q1、他们连接了2个 SiC MOSFET、如下面的原理图所示。 问题是在本例中 clmpi(7)的连接是否正确。 谢谢你。
    • Answered

  • RE: [参考译文] UCC2.175万-Q1：确认不同频率下的驱动器容量？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，袁 要回答您的问题-是的，在高频率下，栅极驱动器理论上也可以达到10A峰值电流。 但是，峰值电流取决于外部组件的值和芯片驱动的IGBT/SiC MOSFET的规格。 此外，在大多数情况下，平均电流更重要，因为它决定了芯片的热行为。 通常，热量是限制因素。 UCC217XX XL计算器可以更好地解释这一点： https://www.ti.com/product/UCC2.175万#design…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5106：如果 HS 压摆率超过50V/ns、会出现什么问题？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Nomura-San、您好！ 是的、HS 引脚上的压摆率以 GND 为基准。 2.对于 SiC MOSFET、请记住、建议的最大工作栅极驱动电压为 VDD=14V、而 SiC FET 通常需要更高的栅极驱动电压和更高的 UVLO 阈值、以最大限度地降低损耗。 您可能需要考虑 UCC27712等更高的 VDD 栅极驱动器。 除此之外、超过50V/ns 的压摆率可能会使驱动器承受损坏或行为不当的压力…
    • Answered

  • RE: [参考译文] 设计帮助

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Gautham 您好！ 从组件数量的角度来看、同步降压拓扑是最简单的拓扑、但由于低侧 FET 体二极管恢复损耗、同步降压拓扑具有很高的潜在开关损耗。 您可能需要至少200V MOSFET、并且 VDS 额定值远高于40V 的 FET 上的体二极管恢复时间不长。 使用基于变压器的拓扑(如传统半桥或 LLC)在该功率级别上更易于管理。 如果您确实想要尝试同步降压、我会看到使用…
    • Answered

  • [参考译文] SN6501-Q1：推拉变压器驱动器 IC SN6501

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: SN6501 , SN6505A-Q1 , SN6505A , SN6505B , SN6505B-Q1 , SN6505D-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1082721/sn6501-q1-push-pull…

  • RE: 2200W电源方案咨询

    损耗有开关和通态两部分。无桥PFC可以降低通态，但开关损耗呢？硅无桥未普及；包括效率并未提高在内；与许多问题有关。 降低桥损有很多方案，比如用MOSFET做同步整流、交错PFC等等。需要注意的是，整流桥占总损耗不超过0.8％，是否有必要关注？ 如果必须降低；目前证实有效方案，全用碳化硅或GaN，硅MOSFET；已无提升效率空间。当然；那些IC成本大抵占SiC或GaN比小于10％，当然也就没有“比”这个概念了，能用够用好用即可。
    • Answered

  • [参考译文] TIDA-01605：此产品是否可供客户使用？

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TIDA-01605 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum…
    • Answered

  • RE: [参考译文] UCC20520：TI 如何为电源开关分类提供支持？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Itoh、 感谢您使用 E2E！ 例如、如果您选择 UCC20520等其中一个栅极驱动器、您将看到它支持的电源开关类型。 链接： https://www.ti.com/product/UCC20520 。 与 MOSFET 和 IGBT 相比、SiCFET 需要不同的参数。 例如、一个因素是 SiC 和 GaN 需要>10V UVLO。 对于 SiCFET 的使用、您可以查看…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。