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  • RE: [参考译文] UCC20520：TI 如何为电源开关分类提供支持？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Itoh、 感谢您使用 E2E！ 例如、如果您选择 UCC20520等其中一个栅极驱动器、您将看到它支持的电源开关类型。 链接： https://www.ti.com/product/UCC20520 。 与 MOSFET 和 IGBT 相比、SiCFET 需要不同的参数。 例如、一个因素是 SiC 和 GaN 需要>10V UVLO。 对于 SiCFET 的使用、您可以查看…

  • [参考译文] UCC21750-Q1：每次出现故障

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21750-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1200463/ucc21750-q1-fault-appears-every-time 器件型号： UCC21750…
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  • RE: [参考译文] ISO224：泄漏测量的简单、低成本解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kai： 没有任何冒犯,我感谢您的反馈. 10mA 实际上是最高限值、此时半导体已停产、泄漏电流大部分时间都在 nA 范围内。 20W 不是很关键、因为这发生在最后、并且 在这个测试台上、我将能够测试大功率器件(1.7kV SiC MOSFET)、其中一些器件采用具有大散热器的大封装(1.i. Pinfin 结构)、并在 需要时进行冷却。 我知道一个事实、即其他人也使用这个1nA…
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  • [参考译文] TIDA-01605：对两级关断保护有一点困惑

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1019271/tida-01605-a-little-confused-about…
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  • RE: [参考译文] Tida-0.0951万：REG：增加输出电压

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Saravana： 升压和降压是非隔离拓扑，但您需要隔离。 因此，您的电压 转换应通过变压器转速比来完成。 我建议您选择主侧的全桥，因为您的功率级别高达3kW。 半桥或推挽式电流较大，这将增加初级绕组和电源开关的应力。 对于辅助端，电压高达750V，没有任何MOSFET或超快速二极管可以直接处理。 所以，我建议你选择SiC二极管，或者串行使用两个输出，也许电压倍增器也可以是一个选项…

  • [参考译文] UCC21710-Q1：UCC21710-Q1 VDD 对 COM 短路问题

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21710-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1043344/ucc21710-q1-ucc21710-q1-vdd-short-to-com-issue …

  • [参考译文] UCC2.8712万：启动期间的门信号

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1091847/ucc28712-gate-signal-during-startup 部件号： UCC2.8712万 您好- 我们正在试验 采用24V电源设计的UCC2.8712万。 我们使用SiC…
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  • RE: [参考译文] UCC21750：如何确定 DESAT 函数的电容器(CBLK)和电阻器(R)？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Hongmei、 感谢您的提问！ 您正确的是、消隐时间是根据 t_BLK = V_DESAT * C_BLK/I_CHG 计算得出的。 您还可以考虑图16中连接到 SiC MOSFET 漏极的二极管、DHV 和电阻器 R。 根据正向压降 Vf 和 R、R*I_CHG 上的压降，DESAT 检测电压将降低，其中 V_DESAT、Actual = V_DESAT - Vf …
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  • RE: [参考译文] ISO5451-Q1：驱动MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，横田山， 对于MOSFET和IGBT应用，VCC2和VEE2的电源电压不同。 更具体地说，SI MOSFET的电源电压通常为+12V/0V，SIC MOSFET为+20V/-5V，IGBT为+15V和-8V。 ISO5451-Q1具有VCC2的电压监控功能，阈值电压为12.6V (典型值)。 在电源电压不足的情况下，驱动器输出将被禁用。 也就是说，ISO5451适用于驱动SIC…

  • 该MOSFET负压驱动方案中如何选择稳压管和电容的值？

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21520 UCC21520推荐了一种简洁的负压驱动方案，但没有说明具体参数的选取。具体方案见下图 采用Cz和Dz实现负压关断。但未说明具体参数的选择。现SiC MOSFET驱动需要GS极18V/-3V驱动电压，想选用2.4V稳压管，请问电容Cz应该选择多大？MOSFET为罗姆的SCH2080KE

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