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找到 684 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered
  • RE: [参考译文] UCC28C56H:仿真问题

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vasu, 已重新进行连接、但观察到相同的波形、根据我们的计算、峰值电流为3A、对于5Apk 电流、选择了额外的缓冲器电流检测电阻器为200m Ω。 使用此 RCS 值时、输出在任何输入电压条件下都没有达到400V。 但是、通过降低 RCS 值(以增加 CS 限制)、我们可以实现400Vdc 输出。 不确定初级峰值电流为什么会变为高电平? 请帮助、他们在这里有什么问题吗? …
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: TMS320C6672: 电源设计,去耦

    Shine
    Shine
    已解决
    B8是EMI filter,具体型号是NFM18CC222R1C3。请查看附件BOM表。 TMDSEVM6678Lx_EVM_REV_3_0_BOM.xls
    • 2 年多前
    • 处理器
    • 处理器论坛
  • Answered
  • RE: [参考译文] UCC21710-Q1:激活 OC 引脚前的延时时间

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Zack、 OC 引脚开始上升没有内部延迟。 它能够在 OUTH 引脚变为高电平的几十纳秒内跟踪施加到引脚上的电压。 栅极信号表示 IGBT 或 SiC MOSFET 的实际电压。 当存在栅极电阻器时、这与 OUTH/OUTL 不同。 图中所示为栅极变为高电平和 OC 变为高电平之间的小延迟的原因是栅极达到 IGBT 或 SiC MOSFET 的阈值电压之前的时间。 在满足该阈值之前…
    • 6 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] UCD3138:UCD3138

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 考虑对 PWM 控制开关使用 GaN 或 SiC MOSFET、可能对60Hz 整流器使用 SiC 二极管。 如果我使用三个交流相位、如果单个相位的功率太大、您会怎么看待? 谢谢! Steven
    • 8 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • [参考译文] 推荐的 ADC +互阻抗放大器和用于测量纳米电流的原理图

    admin
    admin
    Other Parts Discussed in Thread: INA190 , PGA281 , LMC6001 , OPA3S328 , OPA392 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1071412/recommended-adc-transimpedance…
    • 4 年多前
    • 数据转换器(参考译文帖)
    • 数据转换器(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • [参考译文] ISO5851:需要 SiC MOS 栅极驱动器帮助

    admin
    admin
    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/713598/iso5851-sic-mos-gate-drive-help-needed 器件型号: ISO5851 主题中讨论的其他器件: ISO5852S 您好…
    • 已回答
    • 7 年多前
    • 接口(参考译文帖)
    • 接口(参考译文帖)(Read Only)
  • 关于电机驱动器的功率器件使用问题:TI的MOSFET方案是否可行

    ming chen3
    ming chen3
    驱动器要求:24V供电,最大电流在60A。 初选TI的NexFET: CSD18540Q5B (60V,1.8毫欧姆)现对手册中有些参数不太了解,不知道该器件是否能满足使用要求。 1.这里Id有三个参数:封装限制:100A;25度硅材料限制:221A;第三个参数28A是什么概念?选型时是按照三个参数最小值选型?? 2.1.8毫欧是在25度下的,实际使用中电流比较大,温度也比较高,这样通态电阻肯定要变大,功耗大,发热也会更严重。在MOSFET选型时如何兼顾这个考虑? 3.基于MOSFET的温度温度稳定性比较差问题…
    • 9 年多前
    • 存档论坛
    • 其它模拟产品 (Read-Only)
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  • [参考译文] UCC27533:使用 ISO7710和 UCC27533的三相逆变器驱动器电路

    admin
    admin
    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC27533 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/977811/ucc27533-three-phase-inverter-driver-circuit-using…
    • 已回答
    • 5 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] CCS/DRV8312-69M-KIT:Instaspin FOC 和 TMS320F2812

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 不支持、TMS320F2812无法支持 instaSPIN-FOC。您可以在以下链接中找到启用了 instaSPIN-FOC 的 MCU。 http://www.ti.com/microcontrollers/c2000-real-time-control-mcus/products.html#p2192=InstaSPIN-FOC%20Technology InstaSPIN…
    • 6 年多前
    • C2000™︎ 微控制器(参考译文帖)
    • C2000™︎ 微控制器(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] TIDA-00951:TI Designs:TIDA-00951

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好! 这是绝对可能的。 您需要在固件中进行更改才能执行此操作。 因为您将不会使用双向功能。 您可以使用 UF 或 SiC 二极管替代高压 MOSFET 并简化您的设计。 此致、 RAM
    • 7 年多前
    • 仿真、硬件和系统设计工具(参考译文帖)
    • 仿真、硬件和系统设计工具(参考译文帖)(Read Only)
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