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  • RE: [参考译文] LM74670-Q1：采用 LM74670-Q1的谐振转换器二级全桥整流器设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kari、 感谢您的回复。 是的、由于电流过大、我担心会出现这种情况。 由于参考设计手册中提到电桥可以处理高达100A 的电流、这让我有点乐观。 我现在向您提出的问题是： 1.如果我正确理解 LM74670是否 无法驱动并联高功率 MOSFET。 在这种情况下、为每个桥臂驱动4个并联 MOSFET 是否明智、每个桥臂都有专用 的 LM74670 ？ 在这种情况 下、4个桥臂和总共16个…
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  • RE: [参考译文] UCC28810：电源管理论坛

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Subham、 为了提高效率、 确定电路板上的功率损耗区域非常重要。 提供热感图像的目的是识别 除升压 FET 之外影响效率的其他元件。 如前所述、MOSFET 的发热正常(62.5°C/W)、这反过来会对效率产生负面影响。 为此、您将向升压 FET 和二极管添加散热。 我看不到您共享的 Altium 文件上的任何一个。 输出整流二极管 D3的温度有多高？ 变压器？ 桥梁？…
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  • [参考译文] RF 项目中的 MOSFET 问题

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG3410R070 , LMG3410R150 , LMG3410R050 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/868831/problem-with-mosfet-in…

  • [参考译文] TMS320F280049C：使用 OST 触发区的三相 SiC 逆变器故障、导致杂散关断

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1023558/tms320f280049c-fault-of-3-phase-sic-inverter-using-ost-trip-zone-causing…
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  • RE: [参考译文] ISO5851：栅极驱动器查询

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Saravanan、 是的。 ISO5851可用于驱动1200V SiC MOSFET、具有高隔离额定值、高 CMTI、小传播延迟和高级保护功能。 此致、 熊
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  • RE: [参考译文] UCC21520：UCC21520

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、 Manoj、 欢迎使用 e2e、感谢您关注我们的产品。 UCC21520 IC 是一款 MOS 栅极驱动器、设计用于驱动功率 MOSFET、IGBT、SiC FET 或 GaN FET 的电容栅极。 您的帖子会使您感觉您可能正尝试使用我们的芯片直接驱动 LED？ 遗憾的是、它无法将连续电流驱动到类似负载中。 TI 制造商 LED 驱动器 IC。 您可以从此处开始： …
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  • RE: [参考译文] UCC21750：DESAT 的 CBLK 值

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Uchihara、 EVM 上使用的小型 CBLK 面向基于碳化硅(SiC)的应用。 SiC MOSFET 以极快的速度开关、具有较小的短路耐受时间、可承受短路事件。 因此、这需要非常快速的 DESAT 检测和反应。 如果使用 IGBT、则由于开关速度较慢和短路耐受时间较长、消隐时间可能会更长。 请在本 电子书 中找到有关 DESAT 以及如何计算消隐时间的更多信息。 …
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  • [参考译文] UCC21732-Q1：FLT 和 RDY 故障

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21732 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/981436/ucc21732-q1-flt-and-rdy-fault 器件型号： UCC21732-Q1 主题中讨论的其他器件…

  • [参考译文] UCC21750：UCC21750/21732栅极驱动器中止时的栅极电压纹波故障

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1104930/ucc21750-gate-voltage-ripple-failure-of-ucc21750-21732…
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  • RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：栅极电压是否可编程？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Danilo、 EVM 的栅极电压由变压器设置、变压器通过单个5V 电源设置 VCC2 = 17V 和 VEE2 =-5V。 在"4.1原理图"部分中、其中一个要点说明了如何将变压器的输入电源分离、以实现不同的栅极驱动器导通和关断电压。 此外、该 EVM 旨在允许直接连接到标准150mm×62mm×17mm 封装 SiC MOSFET 和 Si IGBT…

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