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找到 687 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
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  • [参考译文] ISO5851:需要 SiC MOS 栅极驱动器帮助

    admin
    admin
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    Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S , ISO5851 , TIDA-00446 , TIDA-00917 , TIDA-00195 , TIDA-01606 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/704300/iso5851-sic-mos…
    • 已回答
    • 7 年多前
    • 接口(参考译文帖)
    • 接口(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] UCC23513EVM-014:UCC23313:光耦合器的开关频率范围

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Shay、 欢迎使用 e2e、感谢您关注我们的产品! 有时、在驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 时、您需要在关断时从栅极到源极产生负电压、以确保它们保持关断状态、尤其是在开关节点是压摆电压时(例如在半桥应用中)。 因此、我们提供了两个选项-您可以输入两个单独的电源来生成负偏置、或者、您可以使用齐纳二极管电路在电路板上生成负电源来提供负偏置。 如果您有其他问题…
    • 5 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] UCC256303:3kW 输出使用如何连接到 UCC27714

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、 我的客户尝试过、但超过2kW 时、它不能正常工作、噪声或负电压。 这是因为、我想使用4 x MOSFET。 两个 SiC 40m Ω 更好。 请告诉我相关连接、例如、 UCC256303 +两 个 UCC5310MC 驱动器->两个40m Ω SiC 我的客户 已隔离+/-电压 cct。 UCC5310MC 输出的输出。 我的客户想要另一个700V 直流…
    • 8 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • [参考译文] UCC27533:当 UCC2753X GND 引脚为负时、UCC2753X 和 CPLD 之间的接口电路设计。

    admin
    admin
    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC27533 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/762914/ucc27533-the-interface-circuit-design-between-ucc2753x…
    • 已回答
    • 7 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] UCC28951-Q1:UCC28951-Q1

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Rajashekar、 正如我之前所说的、您能否尝试600-650V CFD 系列 mos 以查看性能? 我在这里附上了我以前使用过的一个 mos。 器件型号为 IPW65R080CFD。 我没有使用 SIC mos 的实验,但在这里我的想法是: MOSFET 不可能因电压而损坏、只是 MOS 上的尖峰太高、超过1000V。 最大的问题是导致结温超过规格的过流。…
    • 7 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] TIDA-01605:栅极驱动器电路中的保护。

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Utsav、您好! 我是隔离式栅极驱动器组的一名应用工程师。 我同意 Jonny 的看法、不清楚您提到的第一个 TIDA 为什么仅提供低侧 SiC MOSFET 保护电路。 我认为这是一个概念证明、但不展示它是如何在实际系统中实现的、在这种情况下、您需要对低侧和高侧进行保护。 如 TIDA 010054中所示、保护电路可应用于高侧和低侧。 这是一个很好的示例。 希望能回答您的问题…
    • 6 年多前
    • 仿真、硬件和系统设计工具(参考译文帖)
    • 仿真、硬件和系统设计工具(参考译文帖)(Read Only)
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  • [参考译文] UCC21710:UCC21710的消隐时间

    admin
    admin
    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC21710 , UCC21750 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1044025/ucc21710-blanking-time-for-ucc21710 器件型号…
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    • 4 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: [参考译文] UCC21750:总线电压导致故障

    admin
    admin
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Rhea、 无法重现问题、因为问题已解决? 还是由于团队的带宽、没有人可以进行测量? 如果我们现在无法进行测量、您是否能够提供以下内容: 您能否共享原理图的栅极驱动器部分? 您能否共享布局每一层的图像? 是驱动 SiC MOSFET 还是 IGBT? 通过软件、您是否了解所发生问题的更多详细信息 当驱动器报告故障时、这是在开关瞬变期间发生的吗? 软件能否分辨…
    • 4 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • [参考译文] UCC28C44:更改时序电容器的 Fosc 问题

    admin
    admin
    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC28C44 , UCC28C44-Q1 , UC2843 , TL2844B 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/926896/ucc28c44-fosc-issue-to…
    • 已回答
    • 5 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • [参考译文] LMV762Q-Q1:TI 栅极驱动器设计存在疑问

    admin
    admin
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    Other Parts Discussed in Thread: ISO7721 , LMV762Q-Q1 , LMV762 , LM311 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/780207/lmv762q-q1-ti-gate-driver-design-doubts 器件型号…
    • 已回答
    • 7 年多前
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    • 放大器(参考译文帖)(Read Only)
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