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  • [参考译文] UCC5390：UCC5390保护特性详细信息

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5390 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/685765/ucc5390-detailing-of-protection-features-of-ucc5390 器件型号： UCC5390 尊敬的 TI 社区…
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  • RE: [FAQ] [参考译文] [常见问题解答] UCC21520：在设计驱动器自举电源时、我需要了解有关自举过充的信息吗？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 在自举电源中、当自举电容器(CBoot)上的电压上升到高于自举电路(VBoot)的源电压时、会发生过充电。 这种过充通常是开关节点下冲造成的。 当高侧 FET 关断时、负载继续消耗电流时、会发生开关节点下冲、强制电流流经低侧 FET 的续流二极管、从而产生负电压。 图中显示了此开关节点下冲的示例。 1。 图1：使用 SiC MOSFET 仿真的开关节点下冲示例、VBoot…
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  • RE: [参考译文] LMG3410R070：串联的 LMG

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Sam： 感谢您的关注。 是的、有一篇弗吉尼亚理工大学的论文谈到了这一点。 "具有 dv/dt 控制器的有源栅极驱动器、用于串联 SiC MOSFET 中的动态电压平衡"。 请访问 IEEE 网站查找。 遗憾的是、我们没有提供任何参考设计来演示此应用。 由于电容器软充电或中性钳位机制将有助于实现电压平衡、因此三级设计将自动平衡这一点。 人们已经使用我们的…
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  • RE: [参考译文] 具有负输出电压的栅极驱动器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Yusuke、 我是高功率驱动器领域的应用工程师。 我有几个问题可以帮助我回答您的问题。 1) 1)您是否正在寻找特定类型的驱动程序？ 单通道与双通道、隔离与非隔离、 2) 2)您是否驱动 MOSFET、IGBT 或 SiC FET？ 我们有一些驱动器使用+-15V 来打开和关闭 FET。 还可以通过添加齐纳二极管来创建负栅极驱动。 请参阅 链接 的单通道数据表中的图60…
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  • [参考译文] UCC21520：UCC21520的 PWM

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21520 , TINA-TI , TPS40055 , TPS40057 , TPS40061 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/886357/ucc21520-pwm…
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  • [参考译文] UCC21520-Q1：UCC21520

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21520 , UCC21520-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/693732/ucc21520-q1-ucc21520 器件型号： UCC21520-Q1 主题中讨论的其他器件： UCC21520 、 …
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  • RE: [参考译文] TIDA-01606：&quot；DNP&quot；晶体管、栅极等量。 变压器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Volodymyr、 感谢您在我们发布的文件中识别此错误。 SiC MOSFET 在我们自己的电路板内部生产过程中标记为 DNP、但并不用于 最终生产。 应按预期填充。 我将努力更新设计文件。 关于 Wurth 变压器、这些是为该项目定制的、以在所用的开环控制系统中实现所需的输出电压。 同样、输出滤波器中的主功率电感器也是由 Wurth 定制的。 您可以通过 Wurth 代表的网站直接联系他们…

  • UCC5320驱动输出打嗝问题

    我使用UCC5320SCEVM评估板驱动一块SiC-MOSFET，电路图如下。其中R3，R2换为0Ohm，C16去除，IC芯片加装散热片和风扇。 Vcc1 5V, Vcc2 20V, 驱动信号5V，占空比50% 当工作频率上升到2MHz时，输出波形出现间歇性打嗝，（见下图，蓝色是Vcc1，粉色是驱动信号，绿色是输出） 输入端Vcc1和输出端Vcc2电压波形平稳，并没有触发UVLO的迹象。芯片表面温度大约为90度左右。 将Vcc2降到15V后，此时波形正常。将工作频率上升到3MHz，此时温度又达到90度左右…
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  • RE: [参考译文] ADS1278：具有 THS4521缓冲器的 ADS1278差分输入的交叉耦合或偏移问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Keith、您好、 首先、非常感谢您投入的时间和提出的想法、通过阅读这本书、我意识到我喜欢使用 TI 器件的原因。 我还没有看到另一个论坛、 我可以在该论坛获得如此高水平的支持。 在我的应用中、它主要用于测量半导体(通常是 SiC MOSFET 中的 Vds、IGBT 中的 VCE 或二极管中的 Vf)的压降、这些半导体产品串联在多个并联的支路中(多达4个) 并且每个通道都通过开关…

  • [参考译文] ISO5452：ISO5452

    Other Parts Discussed in Thread: ISO5452 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/891746/iso5452-iso5452 器件型号： ISO5452 先生们： 我正在使用 ISO5452驱动器芯片为电机驱动设计三级中性点钳位…

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