搜索提示
找到 687 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered

  • RE: [参考译文] UCC28701：OCV 和 OCC 之间的神秘死区

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Piotr、 感谢您提供所有其他信息。 我有一些看法要告诉您： 您的输出 OVP 目标无法达到14V。 内部 OVP 阈值为4.6V (在 VS 引脚上)、即0.55V、即4.05V 基准电压的+13.6%。 对于13.3V 标称输出设置、OVP 电平将~15.1V。 您对 MOSFET 延迟的50ns 估计值可能比较乐观。 典型的 Si MOSFET…

  • RE: [参考译文] LM5156：不需要的不连续模式

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好： 感谢您详细介绍您对数控恒流升压 LED 驱动器基于 LM5156 的升压设计的问题。 鉴于当前的日期和时间 (星期二、2025年7月29日 上的 PDT 下午 12：12)、我将根据提供的条件分析您的问题、并根据一般原则和相关见解（如适用）批判性地研究潜在的解决方案。 我们已注意到您的紧迫性、我将重点介绍解决该问题的可行措施。 ###问题总结 您将 LM5156（可能是…
    • Answered

  • RE: [参考译文] UCC21520：死区时间范围和精度

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Maarten、 可编程电阻器范围内应使用±20%容差数字。 我将在两个方面提醒您： DT 引脚上的2.2nF 电容器绝对需要与 SiC MOSFET 配合使用、因为使用 SiC 可实现的更高 dv/dt 会将大得多的共模电流耦合到控制电路中、包括死区时间电路。 如果引脚上没有电容器、这些共模电流会在 DT 电路中产生高抖动(大于40ns、20kΩ μ A)。 将2…
    • Answered

  • [参考译文] UCC28711：可靠性和测试

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00173 , UCC28600 , UCC28711 , UCC28710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/837476/ucc28711-reliability…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5114：LM5114

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Derek： 我非常感谢您基于好奇心的询问：为什么不使用 SiC 器件！ 让我们就这个问题进行几次交流-尽管在 这个论坛中不是北问答 很难适应 1200V 器件。 以下是我们不得不放弃它们的关键原因 最棒的房地产 即使在考虑串联/并联的多个 GaN 后、不处理极端 SiC 功能的 GaN 器件也几乎要小10倍。 2 ：驱动程序复杂性。 对于这种特殊情况、GaN 要简单得多。 稍后将对此进行详细介绍…
    • Answered

  • RE: [参考译文] 产品建议

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好Kaushuh： 虽然可以从离散运算放大器创建高速栅极驱动，但集成解决方案更受欢迎。 高速运算放大器可能看起来工作正常，但当测试或使用寄生剂建模时，问题将会显现出来。 在极高的dV/dt和di/dt时，IC封装和印刷电路板的寄生电感将大大降低驱动快速转换速率的能力。 TI的GAN登陆页面讨论了高速功率，GAN和SIC的这一问题和许多其他方面。 www.ti.com…

  • [参考译文] TIDM-1007：图腾柱无桥 PFC 的控制环路设计

    Other Parts Discussed in Thread: TIDM-1007 , TMS320F280049C , TIDM-02008 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1020574/tidm…

  • [参考译文] TMDSCNCD28379D：总线不平衡和过流跳闸

    Other Parts Discussed in Thread: TIDM-1000 , TMDSCNCD28379D 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1232869/tmdscncd28379d…
    • Answered

  • RE: [参考译文] UCC21222：扩展隔离电压的创意

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Satosi-San、您好！ 感谢您对 UCC21222的提问和关注。 我们有一个增强型隔离双通道栅极驱动器 UCC21540、其运行特性与 UCC21222相同、但采用具有增强型隔离和8mm 爬电距离的 SOIC-16宽体封装。 我强烈建议在需要增强型隔离的系统中使用此驱动器、前提是其他规格也匹配。 我们不建议将 UCC21222用于增强型隔离。 当我们提供具有8mm 爬电距离的其他完全增强型驱动器时…
    • Answered

  • [参考译文] INA195：600VDC 10mA 低电流电子保险丝

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC27519 , LMV431 , INA195 , TIDA-01590 , INA260 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/862349/ina195-600vdc-10ma-low-current-e…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。