搜索提示
找到 668 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered

  • 请问 UCC5390能驱动SiC MOSFET吗

    已解决
    贵公司网址 http://www.ti.com.cn/product/cn/UCC5390?keyMatch=ucc5390&tisearch=Search-CN-Products 中
    • Answered

  • [参考译文] UCC21710-Q1：具有分离源 Cree SiC MOSFET 的 OC 和 COM 连接

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC21710-Q1 , UCC21732QDWEVM-025 , UCC21750 , UCC21732 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/813147/ucc21710…
    • Answered

  • [参考译文] UCC21220：CAN UCC21220支持 SiC MOSFET 和 IGBT

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC21220 , ISO5452 , UCC5350 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/693780/ucc21220-can-ucc21220-support-sic-mosfet-and-igbt 器件型号…
    • Answered

  • [参考译文] 具有两级关断保护功能的汽车类双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TIDA-01605 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/835369/automotive-dual-channel-sic-mosfet-gate-driver-reference…
    • Answered

  • [参考译文] ISO5852S-Q1：为1.2kV SiC MOSFET 选择隔离式驱动器：ISO5852S-Q1与 UCC21520A。

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/735386/iso5852s-q1-selecting-isolated-driver-for-1-2kv…
    • Answered

  • 采用UCC21520推荐的负压方案驱动SiC MOSFET，如何选择电源芯片供电？

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC21520 , LM317 , UC2844 , LM5160A 采用UCC21520datasheet中推荐的第三种供电方案，即在驱动通路上串联稳压管与电容并联对的方法对SiC MOSFET负压驱动。SiC MOSFET推荐开启电压为18V，现准备采用22V电源给UCC21520供电，选择3.3V稳压管用于产生负压，导通时GS电压约为22V-3.3V=18.7V。开关频率大概在200k，估算驱动电流峰值约为0.3A。 有没有什么推荐的供电方案来给UCC21520供22V电压…

  • 同时具有外部独立可编程功能和保护电路的SiC-MOSFET驱动芯片

    ISO58系列是具有保护功能的SiC驱动芯片，但是我还是需求同时具有外部可编程的芯片，不知ti有没有这样的芯片，或者说有没有实现这两种功能的解决方案？
    • Answered

  • [参考译文] 使用25V Bootstrap电源在半桥拓扑中实施高侧SiC MOSFET的-5V关闭

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/583584/implementation-of--5v-turn-off-of-highside-sic-mosfet-in-a-halfbridge-topology-using-25v-bootstrap…

  • 关于电机驱动器的功率器件使用问题：SiC（碳化硅）替代MOSFET方案是否可行

    Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B 驱动器要求：24V供电，最大电流在60A。 初选TI的NexFET:CSD18540Q5B(60V,1.8毫欧姆)现对手册中有些参数不太了解，不知道该器件是否能满足使用要求。 1.这里Id有三个参数：封装限制：100A；25度硅材料限制：221A；第三个参数28A是什么概念?选型时是按照三个参数最小值选型？？ 2.1.8毫欧是在25度下的，实际使用中电流比较大，温度也比较高，这样通态电阻肯定要变大，功耗大，发热也会更严重…

  • 关于电机驱动器的功率器件使用问题：SiC（碳化硅）替代MOSFET方案是否可行

    http://www.deyisupport.com/question_answer/microcontrollers/c2000/f/56/t/115326.aspx

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。