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  • 采用UCC21520推荐的负压方案驱动SiC MOSFET，如何选择电源芯片供电？

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21520 , LM317 , UC2844 , LM5160A 采用UCC21520datasheet中推荐的第三种供电方案，即在驱动通路上串联稳压管与电容并联对的方法对SiC MOSFET负压驱动。SiC MOSFET推荐开启电压为18V，现准备采用22V电源给UCC21520供电，选择3.3V稳压管用于产生负压，导通时GS电压约为22V-3.3V=18.7V。开关频率大概在200k，估算驱动电流峰值约为0.3A。 有没有什么推荐的供电方案来给UCC21520供22V电压…

  • 同时具有外部独立可编程功能和保护电路的SiC-MOSFET驱动芯片

    ISO58系列是具有保护功能的SiC驱动芯片，但是我还是需求同时具有外部可编程的芯片，不知ti有没有这样的芯片，或者说有没有实现这两种功能的解决方案？
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  • [参考译文] 使用25V Bootstrap电源在半桥拓扑中实施高侧SiC MOSFET的-5V关闭

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/583584/implementation-of--5v-turn-off-of-highside-sic-mosfet-in-a-halfbridge-topology-using-25v-bootstrap…

  • 关于电机驱动器的功率器件使用问题：SiC（碳化硅）替代MOSFET方案是否可行

    Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B 驱动器要求：24V供电，最大电流在60A。 初选TI的NexFET:CSD18540Q5B(60V,1.8毫欧姆)现对手册中有些参数不太了解，不知道该器件是否能满足使用要求。 1.这里Id有三个参数：封装限制：100A；25度硅材料限制：221A；第三个参数28A是什么概念?选型时是按照三个参数最小值选型？？ 2.1.8毫欧是在25度下的，实际使用中电流比较大，温度也比较高，这样通态电阻肯定要变大，功耗大，发热也会更严重…

  • 关于电机驱动器的功率器件使用问题：SiC（碳化硅）替代MOSFET方案是否可行

    http://www.deyisupport.com/question_answer/microcontrollers/c2000/f/56/t/115326.aspx
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  • RE: [参考译文] LM5060：用于驱动 SI 碳化硅

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Scott、 该器件的典型栅极电压（以 OUT 为基准）为 12V。 SIC MOSFET 开启所需的 VGS 电压是多少？ SIC MOSFET 可能没有完全导通、并且由于功率损耗、MOSFET 正在燃烧。 此致、 Mani。

  • RE: UCC28740: UCC28740:PMP41009

    Another question is: For a dual-transistor cascaded flyback topology like the one designed in PMP41009, if the switching MOSFETs are replaced with SiC MOSFETs, is it necessary to add a gate resistor between the gate and source of Q2? And if added, will…

  • RE: UCC28740: PMP41009

    Another question is: For a dual-transistor cascaded flyback topology like the one designed in PMP41009, if the switching MOSFETs are replaced with SiC MOSFETs, is it necessary to add a gate resistor between the gate and source of Q2? And if added, will…
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  • [参考译文] UCC5350：并联 SiC FET 的设计问题

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC5350 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1601913/ucc5350-design-questions-of-sic-fet-in-parallel 部件号…
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  • RE: [参考译文] LM5050-1：SiC Oring 解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shiven： 我们有 SiC Oring 路线图吗？ 或者我们是否有用于 SiC MOSFET 的额外外部驱动器解决方案？ BRS、 Francis

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