Other Parts Discussed in Thread: DRV3255-Q1 , DRV8353 , CSD19536KCS 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1276822/drv3255-q1-bldc-motor-control 器件型号: …
Other Parts Discussed in Thread: UCC28951 , UCC2895 , CSD19536KCS , UCC24624 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1127452/ucc24624-using-the…
Other Parts Discussed in Thread: UCC27282 , CSD19536KCS 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1125047/ucc27282-bootstrap-diode-burned-out 器件型号…
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KCS , CSD19535KCS , CSD19531KCS 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 萨诺-桑您好,
再次感谢您对 TI MOSFET 的关注。 我相信 Chris 已经充分描述了 TI 针对离散 FET 的行业标准测试方法。 我们已与您共享我们拥有的所有数据和信息。 TI 不制造高功率多芯片(IGBT 或 MOSFET)模块,因此没有经验或其他数据可供分享。 我们确实制造了基于引线框的多芯片电源块(双 FET)设备,这些设备的测试与我们的离散单 FET 相同…
Other Parts Discussed in Thread: DRV8308 , CSD18511KTT , CSD19536KCS , CSD19536KTT 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1081202/drv8308-burning-with…