请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tyler、
感谢您关注 TI FET。 结至外壳热阻 Rθjc Ω(最大2.3°C/W)在数据表的第3页上进行了说明。 这是从封装底部的结点到散热焊盘(源极)测得的。 请访问以下链接、详细了解 TI 如何在我们的 FET 数据表中测试和规范热阻抗。
https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/06/10/understanding…
Other Parts Discussed in Thread: BQ25710 , CSD25402Q3A 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1111361/bq25710-question-on-bq25710rsnt-batfe…
Part Number: LM25085 Other Parts Discussed in Thread: CSD25402Q3A 电路原理图采用Webench生成的图:
输入电压范围是14~16V,期望输出电压是12V
但是实际测试发现输出电压也是15V左右(和电源一样大)
MOS管选用的是CSD25402Q3A
Pmos管Gate测试发现在接通电源的时刻附近,波形是下面的样子
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好米兰达,
感谢您对 TI FET 的关注。 我们已经审查了这些信息,从根本上说,不应存在性能差异,因为每个设备中的长线和短线债券数量相同。 这些电线粘结主要导致 FET 的接通电阻,任何轻微的差异都将被实际硅的接通电阻所消除。
此致,
约翰·华莱士
TI FET 应用