如下电路图，负载设备有休眠和工作状态。有个问题请教
1、为什么首次新冷开机（+8V和3V3都没有通电，半小时后3V3通电，+8V不通电）后，Vshunt 寄存器的读数由接近0值会慢慢地升高到0x140左右（经过大约3分），大约半小时后。达到0x1A0。按照规格书Vos最大值是1uV，那么LSB为312.5nV时，Vshunt 寄存器的读数的读数应该为0x30左右吧。但是我这个为什么偏差这么大，而且还会慢慢地越偏最大？有没有解决方法？
2、当我闭合SW2开关，负载通电，负载休眠时电流110uA左右，负载唤醒后，负载工作时电流会有大约2秒的2.5A电流，断开SW2（负载停止供电），这时R8上的取样电压为零，按理来说应该恢复到0x140左右（就是1中提到的无负载电压值），但实际读取到的Vshunt 寄存器值却有0x540,而且这个值下降的很缓慢，下降到0x140左右差不多2分钟。为什么会下降这么缓慢呢？有没有解决方法？
