您好,我在设计基于MOSFET的VI电流源时参考了文献sboa327中的示例,但是在进行稳定性分析时得不到文献中的结果,TI Precision labs也看了,没有带MOSFET的例子。能否帮我搭建一下仿真模型,主要是添加小信号交流源到测试环路中,并列出Aol,1/Beta的计算公式,能得出正确的频率响应曲线。非常期待,并感激您的回复。
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CurrentSource1.TSCCurrentSource2.TSCCurrentSource1是文献sboa327中的示例,CurrentSource2是交流仿真电路,麻烦指导一下如何进行稳定性仿真,期待您的回复,谢谢
我看了下您搭建的电路,运放的输出和负载间之接用电感隔开了,这样是不行的,如下视频链接中 Spice simulation 所讲,运放任何输出负载必须直接 保留在运算放大器输出端, 不应放置于 电感器的另一侧。仿真结果不同很可能是这个原因造成的,我会抽时间仿真一下的,后续反馈给您结果
https://www.ti.com/video/series/precision-labs/ti-precision-labs-op-amps.html#transcript-tab
CurrentSource5.TSCCurrentSource6.TSC附件5在正输入加了偏置,附件6是双电源供电,仿真结果相差很大。datasheet中该芯片不支持双电源供电。附件5的电路,仿真结果是稳定的,但是文献sboa327中的示例却还是加了Riso和双反馈。难道我的仿真方法有问题吗?Aol=VOA/VIN;Beta1=VOA/VFB;AolBeta=VFB/VIN,这是曲线的计算公式。之前报错是因为没有将以前的图表曲线删除。
那为什么还要增加这些多余的元件呢?
应该是为了增加稳定裕度。
您能替换一下贵公司的运放和MOSFET模型,再仿真一下吗?
仿真模型有什么问题吗?
SI2304DDS 不是TI的器件,我没有其仿真模型;
我在TI官网下载 TLV9062仿真模型,替换后看仿真结果区别不大。