您好:
上图是DRV8711数据表里写的,下图是我选型的外部MOS管电容特性。请问下:
1.三个公式里中用到的Q到底是哪个,还是需要我去测?测哪两脚之间?
2.Peak output current gate driv(source)和Peak output current gate drive (sink)中的sink是什么意思?
3.IDRIVEP = 50 mA, IDRIVEN = 100 mA(N固定为P的两倍?)
4.必须要配置IDRIVEP满足要求吗?我当时选型的时候没注意看MOS管上升时间RT,现在看发现RT为 52ns,Q为几十nC,岂不是说IDRIVEP = 1A左右?然而寄存器给的最大只有200mA。有很大影响吗?自己测了下电机还是动起了了,以后会有什么隐患?
新手一枚,第一次来德仪论坛。为什么这几天发了几个帖子都没人回复,是问的方式不对吗?
官方工作人员也没回复过,请问各位有用过DRV8711的吗,望私聊。存在一些问题,在德仪解决不了其他地方估计更查不到了,希望能在这得到帮助。谢谢。