DRV8301的问题

要想输出相同的功率，半桥式电路的输入电流就要是全桥式电路的2倍

 没太明白您的意思，您说的意思是不是

  “如果用半桥式栅极驱动芯片，那么栅极驱动电流就是全桥栅极驱动电流的2倍”？？

是这个意思哦，输出相同的功率，如果用半桥式栅极驱动芯片，那么栅极驱动电流就是全桥栅极驱动电流的2倍，因此一般大功率电机驱动选择全桥驱动输出的较好

Carter Liu：

                  请教这是为什么？ 没想明白，那照您这样说，6个三相全桥的驱动功率，不就只需要单个MOSFET驱动的1/6？？？？

半桥驱动需要自举电容配合使用，一般半桥芯片是组合成全桥来使用的啊，或者你发一个你见过的板桥驱动电路，咱们共同分析一下与全桥的不同（你说的后半句我也没看懂，呵呵）

呵呵，是我每说清楚，我说的是如下两种拓扑的三相全桥驱动：

1、一个三相全桥驱动芯片组成的：

2、6个MOSFET驱动组成的：

   有点不明白这两种拓扑结构的主要区别，但是在选取驱动的时候，拓扑2中的MOSFET DRIVER都可以做到驱动电流和灌电流很大。

而在第一种拓扑结构中，除了DRV8301，就没见过超过1A驱动电流和灌电流的。我猜想既然驱动电流和灌电流这么大，那么这2种驱动结构应该会有很大的区别的，所以很迷惑……

你好！

看了上面的讨论，我觉得两位在某些名词术语上面有些出入，因而造成了误解。

首先，在讨论这个问题之前，我们先Align一下两个名词： 全桥 半桥。

全桥： 指一个完整的H桥，包含4个MOSFET。 

半桥： 指H桥的一半，一个High side MOSFET， 一个 Low Side MOSFET， 共两个MOSFET.

楼主贴的这两种拓扑，实际的硬件原理并没有很大区别，最主要的区别就在于第一种方案使用了集成的马达驱动芯片（以DRV8301为例），第二种使用了分立的MOSFET Driver 芯片（以 TI的UCC27517A为例），这两种设计对于控制系统的MCU的要求是不一样的。

第一种设计方案中，DRV8301 内部集成了数字逻辑，charge pump, Boot Strap等电路，提供过流，过温，欠压等等多种保护，还包括了LDO 和 两个运放，简化了电流采样回路的设计。因此，MCU只需要通过SPI完成DRV8301的相应配置，通过6路PWM波就可以控制3个半桥的输出。同时可以从它相应的管脚读出电流信号的模拟值，从fault管脚可以看到当前是否有fault发生。

而采用第二种设计方案的话，则需要使用分立元器件实现我上面所列举的功能，比如boot strap电路，过流保护电路，电流反馈回路等等。MCU需要根据控制逻辑通过引脚去分别控制6个MOSFET Driver 的导通和关断，并且对过流，过温等等fault的发生做出实时的响应，这也就大大加重了MCU的loading。

这两种产品的驱动电流指标有比较大的差异并不是说着两种电路的拓扑有很大差异，而主要是由于这两种产品的本质不同造成的。

希望我的理解能够对你有所帮助。

Axel