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OPA1678: TDD noise

Part Number: OPA1678
Other Parts Discussed in Thread: LM386, OPA333

请问OPA1678具有抵抗TDD noise的能力吗?

如果在大功率的GSM基站附近,OPA1678内部的电路,是否可能被干扰?

  • OPA1678具有EMIRR的抗干扰能力,关于您提到的TDD noise,我这边没有相关测试报告。 我再去确认一下吧。

  • 您好,关于OPA1678抑制TDD噪声的问题,已确认如下请参考:

    1. 视情况而定。是否指的是每个用户发送和接收信号的 TDD 时间间隔为4.615ms,还是约为217Hz?如果是这样、OPA1678的任何抑制都将取决于发送/接收信号如何进入器件以及它出现在哪个引脚上。例如、如果将其作为共模信号施加到平衡放大器电路的输入端、则 OPA1678的共模抑制(CMRR)会使其衰减。如果信号出现在 OPA1678的电源引脚上、则运算放大器的电源抑制(PSRR)而衰减。如果您打算使用其他一些 TDD 噪声特性,请告知我们。

    2。OPA1678与任何运算放大器一样、在受射频场(例如由邻近的高功率 GSM 站产生的射频场)影响时,其容差是有限的。OPA1678在高功率辐射射频环境中的实际测试尚未完成、并且不常进行。我们的射频易感性特性仅限于 OPA1678 datasheet中第7.3.3节 EMI 抑制比(EMIRR)中发布的传导 EMI 测试。该部分介绍了测试和 OPA1678典型 EMIRR 响应。

  • 你好,谢谢。LM386对于射频辐射,具有极强的抵抗能力,几乎不受大功率TDD射频辐射的影响,从芯片内部电路来分析,OPA1678能否具有LM386类似的性能呢?

  • 您好,LM386和OPA1678 有很大不同,很难对这二者进行全面的比较,OPA1678是CMOS科技,而LM386是双极型科技,OPA1678是现代基于CMOS的运放,而LM386采用比较古老的双极型科技主要用于驱动低阻抗负载比如扬声器,而OPA1678的输入输出有着各种各样不同的功能主要用于音频信号链的应用。

    二者有几个显著的差异在EMIRR性能上,其中一个就是OPA1678高阻抗输入(输入偏置电流10pA),LM386输入偏置电流250nA,将近10K差距的输入偏置电流,这意味着小电流的干扰可能会比LM386产生更大的影响。

    datasheet中给出的EMIRR的曲线给出了器件在哪些频率下会受到怎样的影响,但是如果想知道OPA1678是否能正常工作的唯一方法就是在应用中进行实际测试。

  • 你好,我们给OPA1678的输入源,以及给OPA1678的供电,都可以保证是稳定的、不受TDD射频辐射的影响,主要是担心OPA1678内部的电路,遭到TDD射频辐射的干扰。

  • datasheet中给出来的EMIRR曲线,为什么在低频段的抑制度不够好?高频段,反而好点,为什么啊?

  • 我们给OPA1678的输入源,以及给OPA1678的供电,都可以保证是稳定的、不受TDD射频辐射的影响,主要是担心OPA1678内部的电路,遭到TDD射频辐射的干扰

    任何模拟集成电路都可能受到辐射射频能量的影响。OPA1678等特定器件对射频能量的敏感度取决于所使用的频率、场能量的强度、放大器所处的特定物理和电气环境、还有一些扩展了所应用射频模式的特性、例如 TDD。每种设计都是不同的、了解放大器如何对射频条件做出反应的唯一方法是在经过认证的实验室中测试整个电路。我们不会在射频辐射条件下测试精密运算放大器、因为它们可能会暴露在无限的可能性下。

    datasheet中给出来的EMIRR曲线,为什么在低频段的抑制度不够好?高频段,反而好点,为什么啊?

    EMI 抑制曲线随着频率的增加而上升。EMIRR 在 GHz 区域中最高。这是因为通过 IC 裸片的耦合损耗随频率的增加而增加。EMIRR 曲线中的峰值是由与集成电路相关的寄生抗谐振(并联谐振)引起的。

  • 因为通过 IC 裸片的耦合损耗随频率的增加而增加。EMIRR 曲线中的峰值是由与集成电路相关的寄生抗谐振(并联谐振)引起的。

    请教下,耦合损耗是什么?寄生抗谐振,又是什么?

  • 辐射射频能量会对IC裸片有一定的损耗,那么随着频率的增加,损耗会增大,这时就需要更强的EMI抑制能力降低对裸片的损耗。就和不同的cable随着频率的变化,自身的插值损耗有差异是一样的道理。

    寄生抗谐振,指的是内部集成电路的并联谐振电路的影响。

  • 谢谢,我想提高400MHz频段的EMIRR,有没有办法?

  • 您好,OPA1678的EMIRR特性芯片自身的特性,是内部设计了抑制EMI的电路,并且数据手册上的EMIRR曲线,测试条件也是在有适当设备和多次访视的认证实验室进行测试,通常需要解决兼容性故障。因此,板级和系统级设计人员应在设计过程开始时考虑 EMI,选择具有好的EMIRR抑制能力的器件,应用良好布局和的设计屏蔽技术,可实现更出色的 EMI 抗扰度。

    这里有一篇关于运放的EMI抑制能力的数据手册,是以OPA333为例的,建议参考一下:

    https://www.ti.com/lit/an/sboa128a/sboa128a.pdf