Hi TI团队
你们好
请问一下ADS131M08这个芯片规格书上面增益误差在200小时误差增益来到400ppm,这个结果是单独对里面PGA某一个档位长期测量电压得出来的吗？还是通过长期量化采样值而计算得到的。在1000个小时以后芯片能否按照当前的趋势稳定下来还是继续下降？
还有，基准电压也是在200个小时会来到400ppm,若是推荐优化使用是不是需要老化超过200小时，使芯片性能达到最优？
这些图表显示了真实的测试结果，图中显示的数据是在高温下作为促进剂收集的，以显示设备在其寿命期间会如何漂移。曲线在高温下可能具有相同的形状和误差，但影响会更快发生。而不是1000小时，可能只需要更少的时间就能显示出同样的效果。这被称为加速因子。
由于模塑料的自固化，大部分漂移发生在最初的几个小时内。曲线的“拐点”可能会随着不同批次的变化而变化，但客户可能会在大约1000小时后预期较低的漂移。可以在组装后烘烤他们的电路板，以缓解由于焊接应力引起的漂移。板材烘烤的时间越长，烘烤的温度越高，这些长期影响就越能得到缓解。
本应用说明讨论了电压参考中的LTD和错误击穿：Long-Term Drift in Voltage References
以下博客文章更详细地讨论了加速系数和长期稳定性：
e2e.ti.com/.../ic-long-term-stability-the-only-constant-is-change
我希望所有这些信息都有助于您的理解。
