该ESD器件是并联到电路中使用如图1,在使用ADS仿真插损时,按并联方式搭建电路图2,仿真出来的插损如图3。相反按串联方式搭建电路如图4,仿真结果看起来反而是正确的,如图5.
问题1、帮忙看下仿真串扰哪种搭建方式以及结果是正确的。
问题2、图5中的结果是0.2左右,而规格书给出的值比较大如图6大约在1db左右,应该以哪个为准
仿真用的模型是TI官网下载的
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该ESD器件是并联到电路中使用如图1,在使用ADS仿真插损时,按并联方式搭建电路图2,仿真出来的插损如图3。相反按串联方式搭建电路如图4,仿真结果看起来反而是正确的,如图5.
问题1、帮忙看下仿真串扰哪种搭建方式以及结果是正确的。
问题2、图5中的结果是0.2左右,而规格书给出的值比较大如图6大约在1db左右,应该以哪个为准
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